Приложение
для AndroidПолное описание
Обзоры по электронной технике : обзорная информация / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.Департамент электрон. пром-сти. - Текст : непосредственный.
Вып. 7(1567) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor corporation : по дан.зарубеж.и отеч.печати за 1969-1988 гг., Ч. 1 : Деятельность и научно-техническая политика Фирмы. Общие проблемы разработки и производства биполярных транзисторов / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов. - 1990. - 64 с. : ил.
Библиогр.: с. 63-64 (33 назв.). Сер.2, Полупроводниковые приборы
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382.3.026 | |
| 47.14.07 |
Рубрики:
Транзисторы силовые -- Проектирование
Транзисторы силовые -- Производство
Кл.слова (ненормированные): ПРОЕКТИРОВАНИЕ -- ПРОИЗВОДСТВО -- СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
Доп. точки доступа:
Десятов, И.Б.
"Электроника", ин-т (Москва)
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/15125/7(1567)/1)
Шифр в сводном ЭК: a73ec091f0b18c682669b91d3215f23b
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1567) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor corporation : По дан.зарубеж.и отеч.печати за 1969-1988 гг.Ч. 1. Деятельность и научно-техническая политика Фирмы. Общие проблемы разработки и производства биполярных транзисторов / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 4(158) : Экономический анализ научно-информационной деятельности органов НТИ. Опыт ценообразования в НИД, 1989. - 51 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1481) : Сенсорные экраны : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1978-1988 гг. / Ю.А.Быстров,В.А.Степанов, 1989. - 39 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1511) : Методы и средства измерений магнитной индукции импульсных магнитных полей : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1969-1988 гг. / В.Н.Грудицин,В.Г.Тугарин, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный.Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 1(159) : Информационная продукция: Проблемы ценообразования и реализации, электронные выставки, полиэкранные установки, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1657) : Технологическое оборудование для плазменного напыления : По даннным отеч. и зарубеж. печати за 1967-1991 гг. / В.Н.Лясников,В.М.Райгородский, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1488) : Состояние и проблемы развития низковольтных керамических конденсаторов за рубежом : По дан. зарубеж. печати за 1982-1989 гг. / Н.А.Барсуков,В.С.Петропавловский,И.О.Трухина, 1989. - 71 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1464) : Возможности применения волоконно-оптических датчиков для измерения параметров магнитного поля : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1975-1988 гг. / О.А.Бузова,Е.ГДерюгина,А.С.Донецкий и др., 1989. - 72 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1433) : Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV /AIII BV : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1966-1989 гг. / А.В.Ерошкин,И.В.Закурдаев,Ю.Г.Садофьев и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 10(1460) : Автоматизация производства с помощью современных роботов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1988 гг. / Г.А.Дементиевская, 1989. - 62 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1485) : Электрический тестовый контроль на этапах создания интегральных схем : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1972-1988 гг. / С.М.Кузин,В.Н.Панасюк,В.Г.Мокеров,В.В.Исаев, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1513) : Зарубежные полимерные материалы для радиодеталей / И.А.Шентенкова,Н.И.Просвирова,Н.А.Нехороших, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 21(1505) : Многофункциональные генераторые СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1989 гг. / Ю.М.Безбородов,Н.И.Лелюх,Б.Н.Севергин, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 20(1503) : Лампы бегущей волны : По описаниям зарубеж. изобретей и дан. зарубеж. печати за 1976-1988 гг.ч. 1. Конструкции ЛБВ, электронно-оптических замедляющих систем, направления работ зарубежных фирм по усовершенствованию ЛБВ / Л.Ф.Тесленко,А.В.Иванова,И.К.Лысова и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1507) : Состояние и перспективы развития лазерной промышленности в капиталистических странах : По дан. зарубеж. печати за 1986-1989 гг. / Ю.Г.Дьякова,Е.К.Белоногова,Т.С.Калачева и др., 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1512) : Параметрическая оптимизация проектируемых устройств по критериям стоимости и качества / С.И.Дудов,В.П.Мещанов, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1435) : Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании / А.Г.Томашевский, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1509) : Высокотемпературная сверхпроводимостьч. 1. Природа сверхпроводимости, применение низкотемпературной сверхпроводимости: По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1976-1989 гг. / Г.Н.Шведов, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 11(1544) : Лазерно-химические реакции для получения элементов ИЭТ : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1977-1990 гг. / Ю.В.Серянов,Л.В.Аравина, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВиноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛабутин В.К. Мощные низкочастотные транзисторы / В. К. Лабутин, 1965. - 32 c. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторы в преобразовательной технике за рубежом : сборник / ВНИИ информации и технико-экономических исслед. в электротехнике, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Некоторые приложения декомпозиционных моделей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов на основе изоморфно-коллективного подхода / О. М. Булгаков, 2006. - 236 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Композиционные модели индукционных взаимодействий в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах / О. М. Булгаков, Б. К. Петров, 2005. - 253 с. - Текст : непосредственный.
Шангереева Б.А. Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. А. Шангереева, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исмаилов Т.А. Базовые процессы формирования активных областей структуры мощных кремниевых транзисторов : монография / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, 2009. - 152 с. - Текст : непосредственный.Шалимов О.Н. Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / О. Н. Шалимов, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 1, 2004. - 79 с. - Текст : непосредственный.Купчинский В.И. Исследование моделей функционирования и разработка аппаратно-программного обеспечения системы измерения параметров мощных транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / В. И. Купчинский, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Красюков А.Ю. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А.Ю. Красюков, 2005. - 26 с. - Текст : непосредственный.Сахмуд Абделькарим Низар.Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Сахмуд Абделькарим Низар, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Веденеев Г.М. Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах / Г. М. Веденеев, А. Н. Зенченко, А. Б. Токарев, 1992. - 89 с. - Текст : непосредственный.Сергеев В.А. Контроль качества мощных транзисторов по теплофизическим параметрам / В.А.Сергеев, 2000. - 253 с. - Текст : непосредственный.Сомов А.И. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Сомов, 1999. - 17 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 2, 2006. - 95 с. - Текст : непосредственный.Айрапетян В.К. Исследование надежности силовых транзисторов и разработка методов их отбраковки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. К. Айрапетян, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Швец А.В. Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Швец, 2003. - 25 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1567) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor corporation : По дан.зарубеж.и отеч.печати за 1969-1988 гг.Ч. 1. Деятельность и научно-техническая политика Фирмы. Общие проблемы разработки и производства биполярных транзисторов / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽