Полное описание
Weber, S.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.323.001.57(043)
Рубрики: Транзисторы полевые -- Моделирование
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/3812/B 522)
Шифр в сводном ЭК: e84953fe0f6da95aebba6c5a36f03adb
Working paper / International monetary fund. WP/01/199 : Regional disparities and transfer policies in Russia: Theory and evidence / E.Dabla-Norris,S.Weber, 2001. - 23 p. - Текст : непосредственный. Weber S. Selektionskriterien beim Investment in aktive US-Aktienfonds / S. Weber, 2008 r=on-line. - Текст : электронный. Weber S. Transiente Elektronenspinresonanz an Photosynthese: Nachweis von Nullquantenkoharenzen : Diss / S.Weber, 1994. - 146 S. - Текст : непосредственный. Weber S. Nachbehandlungsunempfindlicher Hochleistungsbeton : Diss / S.Weber, 1996. - VIII,211 S. S. - Текст : непосредственный. Working paper / International monetary fund. WP/01/176 : art of making everybody happy: how to prevent a secession / M.le Breton,S.Weber, 2001. - 37 p. - Текст : непосредственный. Weber S. Bestimmung von Eisen und Identifizierung von Eisenverbindungen in partikularen Aerosolen : Diss. / S.Weber, 1997. - 113 S. - Текст : непосредственный. Weber S. Modellierung sperrschichtisolierter diskreter Feldeffekttransistoren zur Schaltungssimulation mit Berucksichtigung der Hochfrequenz-, Temperatur- und Grosssignaleigenschaften : Diss. / S.Weber, 1994. - 150 p. - Текст : непосредственный. Bohne C. Mikrostruktur, Eigenspannungszustand und Korrosionsbestandigkeit des kurzzeitlaserwarmebehandelten hochstickstofflegierten Werkzeugstahls X30CrMoN 15 1 / C. Bohne, 2000. - VII, 127 S. 127 S. - Текст : непосредственный. Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный. Neutron-scattering instrumentation at the research reactor BER II, 1996. - 50 p. - Текст : непосредственный. Krauser J. Wasserstoff im MOS-System:Bestimmung der Konzentration,Verteilung und Dynamik des Wasserstoffs mit Hilfe der 15N-Methode / J. Krauser, 1996. - 169 S. - Текст : непосредственный. Krappe H.J. Generalizations of Kramers' rate formula : сборник научных трудов / H. J. Krappe. - 21 p. - Текст : непосредственный. Axmann A. Wahl des Moderators fur die Kalte Neutronenquelle des BER II / A. Axmann, K. Gobrecht. - 24 S. - Текст : непосредственный. Kowsky T. Lineare Integralgleichungen 1.Art JbaK(s,t).y(t)dt=f(s) / T. Kowsky, J. Grzanna, 1994. - 29 S. - Текст : непосредственный. Radke R.E.C. Strahlenschadigung in MOS-Varaktoren bei tiefen Temperaturen / R. E.C. Radke, 1993. - 110 S. - Текст : непосредственный. Hoinkis E. The diffusion of Ag in the graphitic matrices A3-3 and A3-27 / E. Hoinkis, 1994. - 60 p. - Текст : непосредственный. HIS(Hydrogen in Solids), 1994. - III,114 S. S. - Текст : непосредственный. Radiologische Auswirkungen eines Flugzeugabsturzes auf den Forschungsreaktor BER II : сборник научных трудов / A. Axmann, R. Bohnert, J. Ehrhardt, I. Hasemann, 1994. - 77 S. - Текст : непосредственный. Das Ionen-Strahl-Labor am HMI / Ionenstrahllaboratorium (Berlin), 1994. - 65 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Леженин В.П. Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. П. Леженин, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный. Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный. Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный. Budde W. Modellierung des dynamischen Verhaltens von Kurzkanal-MOS_-FETs : Diss. / W.Budde, 1991. - 152 S. - Текст : непосредственный. Люмаров П.П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук: 05.27.01 / П. П. Люмаров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Тихомиров П.А. Исследование и развитие технологически ориентированных методов моделирования МОП-транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / П. А. Тихомиров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов М.Г. Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / М. Г. Кузнецов, 1994. - 26 с. - Текст : непосредственный. Будник А.В. физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Будник, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный. Борздов В.М. Моделирование влияния внешних и технологических факторов на электрофизические свойства твердотельных слоистых структур интегральной электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07, 05.27.01 / В. М. Борздов, 1999. - 44 с. - Текст : непосредственный. Хренов Г.Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный. Меньшиков П.А. Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / П. А. Меньшиков, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный. Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сидоров А.А. Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов методом Монте-Карло с учетом квантовых эффектов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сидоров, 2004. - 20 c. - Текст : непосредственный. Weber S. Modellierung sperrschichtisolierter diskreter Feldeffekttransistoren zur Schaltungssimulation mit Berucksichtigung der Hochfrequenz-, Temperatur- und Grosssignaleigenschaften : Diss. / S.Weber, 1994. - 150 p. - Текст : непосредственный. Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
