Полное описание
> Данилина, Т. И. Ионно-плазменные технологии в производстве СБИС : учеб.пособие / Т.И.Данилина,С.В.Смирнов. - Томск : [б. и.], 2000. - 140 с. : ил. - 200 экз. - ISBN 5-86889-054-X. - Текст : непосредственный. В надзаг.:Том. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники. Библиогр.:с.137-140 (42 назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.3.049.771.14.002
Рубрики: Интегральные схемы большие -- Производство
Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- ПРОИЗВОДСТВО
Доп. точки доступа: Смирнов, С.В.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-00/59688)>
Шифр в сводном ЭК: 8f504e809af7ea912b06436770686ce2
Смирнов С.В. Адаптивная система коррекции инерциальной системы ориентации радиотелескопа / С. В. Смирнов, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Смирнов С.В. Институционализация экономических отношений домашних хозяйств на рынке потребительского кредитования / С. В. Смирнов, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный. Смирнов С.В. Компьютерное моделирование при решении задач прогноза нефтегазоносности : специальность 11.00.11 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д.техн.наук / С. В. Смирнов, 1999. - 77 с. - Текст : непосредственный. Процессы микро- и нанотехнологии / Т. И. Данилина, К. И. Смирнова, В. А. Илюшин, А. А. Величко, 2005. - 315 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Смирнов С.В. Основы вычислительной физики : учеб. пособие : [в 2 ч.]. Ч. 2, 2017. - 103 с. - Текст : непосредственный. Системы проектирования, технологической подготовки производства и управления этапами жизненного цикла промышленного продукта. CAD/CAM/PDM - 2018 : труды XVIII международной молодёжной конференции, 16-18 октября 2018 г., Москва / Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова Российской академии наук, 2018. - 399 с. - Текст : непосредственный. Системы проектирования, технологической подготовки производства и управления этапами жизненного цикла промышленного продукта. CAD/CAM/PDM - 2018 : тезисы докладов 18-ой Международной молодёжной конференции, 16-18 октября 2018, Москва / Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова Российской академии наук, 2018. - 111 с. - Текст : непосредственный. Смирнов С.В. Своеобразие ноосферогенеза в контексте информатизации современного общества : монография / С. В. Смирнов, 2019. - 107 с. - Текст : непосредственный. Смирнов С.В. Поляризационные особенности терагерцового излучения, генерируемого двухцветным фемтосекундным филаментом : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / С. В. Смирнов, 2017. - 19 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽