Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed.: K. Itoh [et al.]. 18 : Microcontrollers in practice / M. Mitescu, I. Susnea, 2005. - XV, 250 p. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed.: K. Itoh, T. Lee [at al.]. 18 : Microcontrollers in practice / M. Mitescu, I. Susnea, 2005. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.On turbulent transport in burning plasmas / K. Itoh, M. Yagi, S. I. Itoh, A. Fukuyama, 2000. - 6 p. - Текст : непосредственный.Itoh K. Modelling of density limit phenomena in toroidal helical plasmas / K. Itoh, S. -I. Itoh, L. Giannone, 2000. - 17 p. - Текст : непосредственный.Theory of self-sustained turbulence in confined plasmas / K. Itoh, S. -I. Itoh, A. Fukuyama, M. Yagi, 1996. - 55 p. - Текст : непосредственный.Dynamic behavior of potential in plasma core of the CHS heliotron/torsatron / A. Fujisawa, H Iguchi, H. Sanuki, K. Itoh, 1997. - 10 p. - Текст : непосредственный.Itoh K. Beta limit of resistive plasma in torsatron/heliotron / K. Itoh, K. Ichiguchi, S. -I. Itoh, 1992. - 22 p. - Текст : непосредственный.design method of divertor in Tokamak reactors / N. Ueda, S. I. Itoh, M. Tanaka, K. Itoh, 1990. - 14,[20] p. p. - Текст : непосредственный.Itoh K. Theory of anomalous transport in toroidal helical plasmas / K. Itoh, S. I. Itoh, A. Fukuyama, 1992. - 14 p. - Текст : непосредственный.model of major disruption in tokamaks / K. Itoh, S. I. Itoh, A. Fukuyama, 1992. - 20 p. - Текст : непосредственный.Critical issues and experimental examination on sawtooth and disruption physics / K. Itoh, I. Itoh, A. Fukujama, 1992. - 32 p. - Текст : непосредственный.Itoh K. Effect of alpa particles on radial electric field structure in torsatron/heliotron reactor / K. Itoh, H. Sanuki, S. -I. Itoh, 1992. - 28 p. - Текст : непосредственный.Itoh K. Model of the L-mode confinement in tokamaks / K. Itoh, S. -I. Itoh, A. Fukuyama, 1992. - 7 p. - Текст : непосредственный.Observation of parallel viscosity in the CHS heliotron/torsatron / K. Ida, H. Yamada, H. Iguchi, K. Itoh, 1991. - 12 p. - Текст : непосредственный.effect of magnetic field configuration on particle pinch velocity in compact helical system(CHS) / H. Iguchi, K. Ida, H. Yamada, K. Itoh, 1994. - 20 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Schneider K. Highly sensitive optical receivers / K. Schneider, H. Zimmermann, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.
Goll B. Comparators in Nanometer CMOS Technology / B. Goll, H. Zimmermann, 2015 r=on-line. - Текст : электронный.Uhrmann H. Analog Filters in Nanometer CMOS / H. Uhrmann, R. Kolm, H. Zimmermann, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.Breitenstein O. Lock-in thermography : basics and use for evaluating electronic devices and materials / O. Breitenstein, W. Warta, M. Langenkamp, 2010 r=on-line. - Текст : электронный.Dziuban J.A. Bonding in microsystem technology / J. A. Dziuban, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Low power VCO design in CMOS / M. Tiebout, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ortmanns M. Continuous-time sigma-delta a/d conversion : fundamentals, performance limits and robust implementations / M. Ortmanns, F. Gerfers, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Witteman W.J. Detection and signal processing : technical realization / W. J. Witteman, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Henzler S. Time-to-Digital converters / S. Henzler, 2010 r=on-line. - Текст : электронный.System-level test and validation of hardware/software systems / ed. R. M. Sonza Reorda, 2005 r=on-lineHigh dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed. H. Huff, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Mitescu M. Microcontrollers in practice / M. Mitescu, I. Susnea, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Perevoschikov V.A. Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevoschikov, V. D. Skoupov, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Fulde M. Variation aware analog and mixed-signal circuit design in emerging multi-gate CMOS technologies / M. Fulde, 2010 r=on-line. - Текст : электронный.Tong X.C. Advanced Materials for Thermal Management of Electronic Packaging : монография / by Xingcun Colin Tong., 2011 r=on-line (Введено оглавление). - Текст : электронный.Richter D. Flash Memories. Economic Principles of Performance, Cost and Reliability Optimization / D. Richter, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.Gonzalez Ruiz P. Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors / P. Gonzalez Ruiz, K. De Meyer, A. Witvrouw, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Стефюк Ю.В. Электродинамические свойства металлодиэлектрических и фотонно-кристаллических структур: моделирование на основе интегральных уравнений и итерационных методов / Ю. В. Стефюк, 2012. - 21 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Миттова И.Я. Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков, 2008. - 161 с. - Текст : непосредственный.Sebastian M.T. Dielectric materials for wireless communication / M. T. Sebastian, 2008. - XIII, 671 p. - Текст : непосредственный.Шаповалов В.И. Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. И. Шаповалов, 2008. - 32 с. - Текст : непосредственный.Борило Л.Н. Технология и физико-химические свойства тонкопленочных материалов на основе системы двойных оксидов ZrO2-GeO2 : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Л. Н. Борило, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аржанова Т.А. Беспалладиевая химическая и электрохимическая металлизация диэлектриков / Т. А. Аржанова, 1996. - 180 c. - Текст : непосредственный.Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный.Технология формирования покрытий на основе окислов циркония и титана : монография / Ред.Ред. Л. М. Лынькова, 2001. - 200 с. - Текст : непосредственный.Иногамов С.А. Разработка диэлектрической композиции для изоляционной конструкции с повышенной поверхностной электрической прочностью : специальность 05.09.02 "Электротехнические материалы и изделия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Иногамов, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чикуров Т.Г. Исследование и разработка многофункциональной диэлькометрической информационно-измерительной системы : специальность 05.11.16 "Информационно-измерительные и управляющие системы (по отраслям)" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Т. Г. Чикуров, 2004. - 24 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Materials science foundations. Vol. 39 : Maxwell stresses and dielectric materials / G. Kloos, 2008. - VIII, 105 p. - Текст : непосредственный.Диэлектрики : Межвед.науч.сб. / Киевский политехнический ин-т. Вып. 40, 1991. - 77 с. - Текст : непосредственный.Топурия Т.П. Диэлектрик в электростатическом поле. Решение краевых задач методом линейных алгебраических уравнений / Т. П. Топурия, М. Д. Шафранов, 1999. - 14 с. - Текст : непосредственный.Тимохин В.М. Физика диэлектриков. Термоактивационная и диэлектрическая спектроскопия кристаллических материалов. Протонный транспорт : выставочные материалы / В. М. Тимохин, 2013. - 257 с. - Текст : электронный.Казанцев В.П. Аналитическая электростатика на плоскости. Характеристические мультиполи однородных диэлектрических тел и их приложения : в 2 кн. Кн. 1, 2013. - 468 с. - Текст : непосредственный.Казанцев В.П. Аналитическая электростатика на плоскости. Характеристические мультиполи однородных диэлектрических тел и их приложения : в 2 кн. Кн. 2, 2013. - 297 с. - Текст : непосредственный.Тимохин В.М. Технологии и методы исследований и диагностики кристаллических и электроизоляционных материалов / В. М. Тимохин, 2008. - 88 с. - Текст : непосредственный.Воробей З.Ф. Физика диэлектриков. Диэлектрики в постоянном электрическом поле, 1973. - 150 с. - Текст : непосредственный.Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный.Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.В. Физика диэлектриков / В. В. Иванов, 2000. - 80 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.
Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах / В.А.Гриценко;Отв.ред.В.Г.Литовченко, 1993. - 280 c. - Текст : непосредственный.Paloheimo J. Studies of the electronic properties of conjugated polymers : From dimerization to charge transport in polymeric transistors:Diss. / J.Paloheimo, 1993. - 36 p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽