Полное описание
Обзоры по электронной технике : обзорная информация / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.Департамент электрон. пром-сти. - Текст : непосредственный. Вып. 2(1638) : Ионно-имплантационное легирование арсенида галлия : по данным отеч.и зарубеж.печати за 1970-1988 гг. / В.С.Вавилов,И.С.Ташлыков. - 1991. - 32 с. : ил.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.315.592.002:669
Рубрики: Галлий, арсениды -- Легирование
Кл.слова (ненормированные): АРСЕНИД -- ГАЛЛИЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ
Доп. точки доступа: Ташлыков, И.С.
"Электроника", ин-т (Москва)
Экз-ры полностью 087e8ad6abb6c0dece03fcbe14c9fd53 Нет сведений об экземплярах Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/15125/2(1638))
Шифр в сводном ЭК: 087e8ad6abb6c0dece03fcbe14c9fd53
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Сибрук В. Роберт Вильямс Вуд : современный чародей физической лаборатории: история одного американского мальчика, который стал самым дерзким и оригинальным экспериментатором наших дней, но так и не вырос / В. Сибрук; перевод с английского В. С. Вавилова; под редакцией акад. С. И. Вавилова, 1946. - 311, [1] с. - Текст : непосредственный. Радиационные методы в твердотельной электронике / В.С.Вавилов,Б.М.Горин,Н.С.Данилин и др., 1990. - 184 c. - Текст : непосредственный. Вавилов В.С. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев, 1990. - 212 c. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1638) : Ионно-имплантационное легирование арсенида галлия : По данным отеч.и зарубеж.печати за 1970-1988 гг. / В.С.Вавилов,И.С.Ташлыков, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный. Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 4(158) : Экономический анализ научно-информационной деятельности органов НТИ. Опыт ценообразования в НИД, 1989. - 51 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1481) : Сенсорные экраны : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1978-1988 гг. / Ю.А.Быстров,В.А.Степанов, 1989. - 39 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1511) : Методы и средства измерений магнитной индукции импульсных магнитных полей : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1969-1988 гг. / В.Н.Грудицин,В.Г.Тугарин, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный. Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 1(159) : Информационная продукция: Проблемы ценообразования и реализации, электронные выставки, полиэкранные установки, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1657) : Технологическое оборудование для плазменного напыления : По даннным отеч. и зарубеж. печати за 1967-1991 гг. / В.Н.Лясников,В.М.Райгородский, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1488) : Состояние и проблемы развития низковольтных керамических конденсаторов за рубежом : По дан. зарубеж. печати за 1982-1989 гг. / Н.А.Барсуков,В.С.Петропавловский,И.О.Трухина, 1989. - 71 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1464) : Возможности применения волоконно-оптических датчиков для измерения параметров магнитного поля : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1975-1988 гг. / О.А.Бузова,Е.ГДерюгина,А.С.Донецкий и др., 1989. - 72 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1433) : Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV /AIII BV : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1966-1989 гг. / А.В.Ерошкин,И.В.Закурдаев,Ю.Г.Садофьев и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 10(1460) : Автоматизация производства с помощью современных роботов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1988 гг. / Г.А.Дементиевская, 1989. - 62 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1485) : Электрический тестовый контроль на этапах создания интегральных схем : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1972-1988 гг. / С.М.Кузин,В.Н.Панасюк,В.Г.Мокеров,В.В.Исаев, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1513) : Зарубежные полимерные материалы для радиодеталей / И.А.Шентенкова,Н.И.Просвирова,Н.А.Нехороших, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 21(1505) : Многофункциональные генераторые СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1989 гг. / Ю.М.Безбородов,Н.И.Лелюх,Б.Н.Севергин, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 20(1503) : Лампы бегущей волны : По описаниям зарубеж. изобретей и дан. зарубеж. печати за 1976-1988 гг.ч. 1. Конструкции ЛБВ, электронно-оптических замедляющих систем, направления работ зарубежных фирм по усовершенствованию ЛБВ / Л.Ф.Тесленко,А.В.Иванова,И.К.Лысова и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1507) : Состояние и перспективы развития лазерной промышленности в капиталистических странах : По дан. зарубеж. печати за 1986-1989 гг. / Ю.Г.Дьякова,Е.К.Белоногова,Т.С.Калачева и др., 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1512) : Параметрическая оптимизация проектируемых устройств по критериям стоимости и качества / С.И.Дудов,В.П.Мещанов, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1435) : Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании / А.Г.Томашевский, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1509) : Высокотемпературная сверхпроводимостьч. 1. Природа сверхпроводимости, применение низкотемпературной сверхпроводимости: По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1976-1989 гг. / Г.Н.Шведов, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 11(1544) : Лазерно-химические реакции для получения элементов ИЭТ : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1977-1990 гг. / Ю.В.Серянов,Л.В.Аравина, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный. Никифоров А.И. Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. И. Никифоров, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Расмагин С.И. Воздействие вольфрамового покрытия на свойства высокоомного компенсированного кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. И. Расмагин, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Чалдышев В.В. Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В. В. Чалдышев, 1999. - 51 с. - Текст : непосредственный. Волков Д.А. Квантовохимический метод расчета энтальпии растворения примесей Ш-Y групп в кремнии и германии : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. А. Волков, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный. Афонин Н.Н. Перераспределение легирующих примесей при термическом оксидировании монокристаллического кремния : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : диссертация на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Н. Н. Афонин, 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
