Полное описание
Сысоев, И. А.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.23(043)
Аннотация: Разработаны основы градиентной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов соединений A
III B
V с единой позиции в жидкой и газовой фазах, а также технологическая оснастка и цифровые системы управления для получения данных растворов.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-10321)
Шифр в сводном ЭК: 77ab0ae560d833e9cee846113a1cc69a
Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Исследование энергетического состояния и разработка способа управления тепловым режимом электролизеров большой единичной мощности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.02 / И. А. Сысоев, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIII BV через тонкую газовую зону : монография / И. А. Сысоев, Л. С. Лунин, 2015. - 96 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный. Извлечение наночастиц углерода из фторированного глинозема при производстве алюминия / В. А. Ершов [и др.]. - Текст : непосредственный // Металлург. - М. - 2012. - № 12. - с. 74-78 Особенности ионно-лучевого осаждения наноразмерных многокомпонентных островковых пленок / А. В. Благин, Л. С. Лунин, И. А. Сысоев, Д. А. Гусев. - Текст : непосредственный // Микроэлектронные информационно-управляющие системы и комплексы. - Новочеркасск. - 2011. - с. 113-115 Лунин Л.С. Инновационные технологии создания высокоэффективных фотоэлементов на основе наногетероструктур с квантовыми точками для солнечных батарей нового поколения / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев, Д. Л. Алфимова. - Текст : непосредственный // Наукоемкие технологии для инновационной индустрии южного макрорегиона. - Ростов н/Д. - 2011. - с. 20-27 Алфимова Д.Л. Технология магнетронного напыления тонкопленочных покрытий / Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, И. А. Сысоев. - Текст : непосредственный // Наукоемкие технологии для инновационной индустрии южного макрорегиона. - Ростов н/Д. - 2011. - с. 51-55 Новые технологические решения по переработке отходов кремниевого и алюминиевого производств / В. В. Кондратьев [и др.]. - Текст : непосредственный // Металлург. - М. - 2013. - № 5. - с. 92-95 Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный. Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern / R. Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный. Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный. Мурашова А.В. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Мурашова, 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный. Туленин С.С. Гидрохимическое осаждение пленок In2 S3 , In2 Se3 и халькопиритных структур на их основе : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / С. С. Туленин, 2015. - 24 с. - Текст : непосредственный. Катышева А.С. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1- y: состав, структура, свойства y : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / А. С. Катышева, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный. Донсков А.А. Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.17.01 / А. А. Донсков, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный. Bilger G. Praparation und Dotierung von amorphem Silizium durch die Kathodenzerstaubung : Diss. / G.Bilger, 1992. - 138 S. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.04 / В. Ф. Марков, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
