ГПНТБ России - Полное описание

Государственная публичная
научно-техническая библиотека России

Основана в 1958 году

Полное описание

Брудный, В. Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков. - Новосибирск : Наука, 2001. - 136 с. : ил. - 200 экз. - ISBN 5-02-031919-8. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Том. политехн. ун-т. Библиогр.: с.122-134 (228 назв.)

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.16

Рубрики:
Полупроводники -- Влияние ионизирующих излучений

Доп. точки доступа:
Пешев, В.В.
Суржиков, А.П.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-01/70209)

Шифр в сводном ЭК: 67fe15d6ec9a2de1afe808d0abfd2efd

Основы радиоэлектроники и связи. Ч. 6 : Электронные технологии в производстве РЭА : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Иванов [и др.] ; под ред. А. С. Сигова, 2012. - 321 с. - Текст : непосредственный.Основы радиоэлектроники и связи. Ч. 7 : Технологии интегральных схем радиоэлектроники : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Иванов [и др.] ; под ред. Ю. В. Гуляева, 2013. - 460 с. - Текст : непосредственный.Беспалько А.А. Связь петрофизических свойств горных пород с изменением параметров электромагнитных сигналов при акустическом воздействии / А. А. Беспалько, Л. В. Яворович, А. П. Суржиков, 2011. - 119 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Тенденции развития стандартов и программ в высшем техническом образовании : монография / В. Т. Федин [и др.], 2014. - 335 с. - Текст : непосредственный.Брудный В.Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07;01.04.10 / В. Н. Брудный, 1993. - 40 с. - Текст : непосредственный.Основы радиоэлектроники и связи. Ч. 8 : Ионно-плазменные технологии в радиоэлектронике : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Иванов [и др.] ; под ред. А. С. Сигова, 2014. - 270 с. - Текст : непосредственный.Суржиков А.П. Радиационно-термическое спекание ферритовой керамики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. П. Суржиков, 1993. - 36 с. - Текст : непосредственный.Конкурентоспособность специалистов для наукоемких технологий / П. А. Лучников [и др.], 2009. - 332 с. - Текст : непосредственный.Высокотемпературная радиационно-стимулированная диффузия катионов в ионных кристаллах : монография / А. П. Суржиков [и др.], 2014. - 81 с. - Текст : непосредственный.Мультисенсорная аппаратура контроля дефектности и напряженно-деформированного состояния гетерогенных диэлектрических структур / А. П. Суржиков [и др.], 2014. - 91 с. - Текст : непосредственный.Брудный В.Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков, 2001. - 136 с. - Текст : непосредственный.Исследование фазовых преобразований и кинетики линейной усадки при спекании керамики из ультрадисперсных плазмохимических порошков системы ZrO₂ (Y) - Al₂O₃ / А. П. Суржиков, Т. С. Франгульян, С. А. Гынгазов, Е. А. Васендина. - Текст : непосредственный // Радиационная физика твердого тела : тр. XXII Междунар. конф. (9-14 июля 2012 г., Севастополь). - М. : НИИ ПМТ, 2012. - с. 429-439 Модифицированная керамика с перовскитовыми и шпинелевыми фазами / В. И. Верещагин [и др.], 2009. - 323 с. - Текст : непосредственный.

Брудный В.Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков, 2001. - 136 с. - Текст : непосредственный.

Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Алалыкин А.С. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Алалыкин, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Скаляух О.В. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Скаляух, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Штанько В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ф. Штанько, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Радиационная физика полупроводников. Ч. 1 : Радиационные эффекты в полупроводниках при протонном облучении, 2015. - 187 с. - Текст : непосредственный.Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Коротаев А.Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах H Cd Te ядернофизическими методами : специальность 01.40.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Коротаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.Павлик Б.В. РадIацIйни процеси в напIвпровIдниках та дIелектриках / Б. В. Павлик, 1990. - 54 с. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Показать все результаты

Брудный В.Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков, 2001. - 136 с. - Текст : непосредственный.

Заказ фрагмента документа ₽