Полное описание
Ходжаев, Т. А.
ГРНТИ УДК 47.33 621.315.592.9:539.16(043) 621.382:539.16(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР95-5666)
Шифр в сводном ЭК: 1199d286ea10a0d5c5781d23406b2b51
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Демарина Н.В. Электронный транспорт в GaAs в структурах при радиационном воздействии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. В. Демарина, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бухаров В.Э. Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. Э. Бухаров, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Вишняков А.В. Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле МОП-структур при криогенных температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Вишняков, 1999. - 14 с. - Текст : непосредственный. Протопопов Г.А. Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. А. Протопопов, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный. Ахабаев Б.А. Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05,05.27.01 / Б. А. Ахабаев, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Панкратов Е.Л. Динамика процессов диффузионного типа в неоднородных, параметрических и нелинейных средах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / Е. Л. Панкратов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Фигуров В.С. Прогнозирование показателей стойкости изделий полупроводниковой электроники к воздействию импульсных ионизирующих излучений по результатам испытаний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.05,05.27.01 / В. С. Фигуров, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гуськова О.П. Механизмы влияния ионной имплантации кремния, германия и фтора на свойства композиции SiO2/Si при воздействии ионизирующего излучения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. П. Гуськова, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный. Калинина Е.В. Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. В. Калинина, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Васин С.В. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Васин, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный. Зыков В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 01.04.10 / В. М. Зыков, 2002. - 37 с. - Текст : непосредственный. Оболенский С.В. Моделирование радиационного воздействия на характеристики полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10,05.27.01 / С. В. Оболенский, 1995. - 18 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
