Полное описание
> Materials science forum : сборник. - Stafa-Zuerich : Trans tech publ., 19 - . - ISSN 0255-5476. - Текст : непосредственный.
Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess. - 2008. - XVI, 432 p. : ill. - Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 429-432. - ISBN 978-0-87849-391-3
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592-047.84(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Термическая обработка -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Lerch, W.\ed.\
>
Копия:
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15078/573-574)>
Шифр в сводном ЭК: d4c76f513c99be5a73086c3bbfc6c02f
Shallow impurities in semiconductors : материалы временных коллективов / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Nuclear fuel fabrication : материалы временных коллективов / Ed. C. Ganguly, 1989. - IX,438 p. p. - Текст : непосредственный.Preparation and properties of silicon nitride based materials / Ed.: D. A. Bonnell, T. Y. Tien, 1989. - VII,307 p. p. - Текст : непосредственный.Progress in powder metallurgy. Pt. 1 : Proceedings of the 2006 Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006), held in Busan exhibition & Convention Center (BEXCO), Busan, Korea, Sept. 24-28, 2006 / Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006) (2006; Busan), 2007. - XXXIV, 848 p. - Текст : непосредственный.Progress in light metals, aerospace materials and superconductors : 2006 BIMW. 2006 Beijing international materials week, Jun. 25-30, 2006, Beijing, China / Sponsored and organized by Chinese materials research society (C-MRS). Pt. 2 : Aluminium materials : 2006 Beijing international conference on aluminium materials (2006 BICAM), Jun. 25-30, 2006, Beijing, China / Beijing international conference on aluminium materials (2006; Beijing), 2007. - XXXIV, 605-1162 p. - Текст : непосредственный.Progress in light metals, aerospace materials and superconductors : 2006 BIMW. 2006 Beijing international materials week, Jun. 25-30, 2006, Beijing, China / Sponsored and organized by Chinese materials research society (C-MRS). Pt. 1 : Magnesium : second international conference on magnesium (ICM 2006) / International conference on magnesium (2nd; 2006; Beijing), 2007. - XVII, 604 p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 1, 1990. - 392 p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 2, 1990. - 393-778 p. p. - Текст : непосредственный.
Recrystallization'92 : Intern.conf.on recrystallization and related phenomena,San Sebastian,Aug.31-Sept.4,1992, 1993. - 724 p. - Текст : непосредственный.Grain boundary chemistry and intergranular fracture / ed. G. S. Was, ed. S. M. Bruemmer, 1989. - V,358 p. p. - Текст : непосредственный.Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer rev. papers from the 14th intern. conf. on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (DRIP-14), Sept. 25-29, 2011, Miyazaki, Jap. / International conference on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (14; 2011; Miyazaki), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Fatigue failure and fracture mechanics : sel., peer rev. papers from the conf. on XXIV symposium on fatigue failure and fracture mech., May 22-25, 2012, Bydgoszcz-Pieczyska, Pol. / Symposium on fatigue failure and fracture mechanics (24; 2012; Bydgoszcz-Pieczyska), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Advanced powder technology VIII : sel., peer rev. papers from the eighth Lat. Amer. conf. on powder technology, Nov. 6-9, 2011, Florianópolis, Brazil: in 2 vol. / Latin American conference on powder technology (8; 2011; Florianopolis), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSolid state phenomena. Vol. 145-146 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces IX : 9th Intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS) held in Bruges, Belgium, Sept. 22-24, 2008 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (9th; 2008; Bruges), 2009. - XVI, 400 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 131-133 : Gettering and defect engineering in semiconductor technology XII-GADEST 2007 : proc. of the 12th Intern. autumn meet. EMFCSC, Erice, Italy, Oct. 14-19, 2007 / International autumn meeting "Gettering and defect engineering in semiconductor technology-GADEST 2007" (12th; 2007; Erice), 2008. - XV, 642 p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess, 2008. - XVI, 432 p. - Текст : непосредственный.Ultra clean processing of semiconductor surfaces X : the 10th intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS 2010), was held in Oostende, Belgium, on Sept. 20-22, 2010 / International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces (10; 2010; Oostende), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.
Заказ фрагмента документа ₽