Приложение
для AndroidПолное описание
Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под ред. А. В. Латышева, А. В. Двуреченского. - Новосибирск : ИФПР СО РАН, 2017. - 182 с. : ил. - 500 экз. - ISBN 978-5-98901-195-7. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 621.315.592.9-022.532 | |
| 47.33.33 | 621.383 | |
| 47.33.33 | 621.38 | |
| 621.38 |
Рубрики:
Наноструктурные материалы полупроводниковые
Фотоника
Электроника
Электроника
Аннотация: В настоящем издании представлены наиболее значимые результаты научно-исследовательских работ и прикладных разработок ИФП СО РАН, которые отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников.??Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.??
Доп. точки доступа:
Латышев, А.В.\ред.\
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-17/63514)
Шифр в сводном ЭК: 73599e6cc6595e5f1afe42ccfc0ca30e
Латышев А.В. Аналитические методы в кинетической теории / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2008. - 280 с. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Латышев А.В. Диагностирование непрерывных систем и цепей / А. В. Латышев, 1990. - 46 c. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Граничные задачи для квантовых газов / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2012. - 264 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Палеомагнетизм траппов Сибирской платформы: оценка длительности и интенсивности магматизма на примере Норильского района и Ангаро-Тасеевской впадины / А. В. Латышев, 2013. - 24 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. В. Латышев, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.
Латышев А.В. Граничные задачи для вырожденной электронной плазмы / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2006. - 274 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Неоднородные кинетические задачи. Метод сингулярных интегральных уравнений : Монография / А. В. Латышев, В. Н. ПоповЮшканов А.А., 2004. - 265 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Аналитические решения в теории скин - эффекта / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2008. - 285 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Аналитическое решение граничных задач кинетической теории : Монография / А.В.Латышев,А.А.Юшканов, 2004. - 286 с. - Текст : непосредственный.Голубев, Н. Ф. Радиационные процессы в микроэлектронике. Ч. 1 : Физические основы и применение радиационно-термических процессов в технологии биполярных микроприборов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Анализ и оптимизация работы коммуникационных узлов корпоративной телекоммуникационной системы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.13 / А. В. Латышев, 2005. - 19 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Кинетические уравнения типа Вильямса и их точные решения : Монография / А.В.Латышев,А.А.Юшканов, 2004. - 271 с. - Текст : непосредственный.Проблемы развития методологии мониторинга токсичности природных сред: необходимость синтеза / В.А. Чистяков, М.А. Сазыкина, И.С. Сазыкин, А.В. Латышев. - Текст : непосредственный // Проблемы региональной экологии. - М. - 2009. - № 5. - с. 152-156
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2022 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2023. - 231 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2023 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2024. - 239 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН.. / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2024 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2025. - 254 с. - Текст : непосредственный.
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Фотоника 2017 / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2017. - 200 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, 2017. - 351 с. - Текст : непосредственный.Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис; пер. с англ. В. М. Ефимова; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Наука из первых рук : периодический научно-популярный журнал / Российская Академия Наук. Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука (Новосибирск). - Журнал выходит с 2004г. - Текст : непосредственный.Свиташёва С.Н. Метод эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов / С. Н. Свиташёва; ответственный редактор О. П. Пчеляков, 2019. - 261, [6] с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Асеев, Александр Леонидович. Наука Сибири на изломе эпох : заметки участника событий / А. Л. Асеев, 2021. - 303 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Астанкова, Ксения Николаевна. Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением : 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Астанкова Ксения Николаевна, 2021. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кожухов, Антон Сергеевич. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кожухов Антон Сергеевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Гайдук, Алексей Евгеньевич. Мультирезонансные поляризационные системы на основе метаповерхностей : 01.04.07 - физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гайдук Алексей Евгеньевич, 2021. - 18, [1] с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Савенко, Иван Григорьевич. Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе-Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савенко Иван Григорьевич, 2021. - 43 с. - Текст : непосредственный.Кремний, 2022, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск : XIV международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе: тезисы докладов, 2022. - 159 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Ольшанецкий, Евгений Борисович. Транспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe : специальность: 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Ольшанецкий Евгений Борисович, 2022. - 36 с. - Текст : непосредственный.Мутилин, Сергей Владимирович. Упорядоченные массивы нанокристаллов диоксида ванадия с обратимым фазовым переходом полупроводник-металл на наноструктурах кремния : 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мутилин Сергей Владимирович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыУшаков В.Н. Электротехника и электроника / В. Н. Ушаков, 1997. - 327 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Электроника, автоматика и измерительная техника : сборник научных трудов / Уфимский гос. авиационный технический ун-т, 2011. - 331 с. - Текст : непосредственный.Остапенко Г.С. Электроника и микроэлектроника / Г. С. Остапенко, 1993. - 148 c. - Текст : непосредственный.Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника : учебное пособие / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев, 2008. - 798 с. - Текст : непосредственный.Researches on electronic science / Hokkaido university. Research institute for electronic science. Vol. 3, 1995. - 117 p. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы электрорадиотехники и электроники : сборник научных трудов / Саратовский гос. технический ун-т им. Ю. А. Гагарина, 2015. - 91 с. - Текст : непосредственный.Лопатин В.П. Электротехника, основы электроники и электрооборудование : выставочные материалы / В. П. Лопатин, 2011. - 156 с. - Текст : непосредственный.Вершинин И.М. Электротехника и электроника в информационных системах : выставочные материалы / И. М. Вершинин, 2016. - 226 с. - Текст : непосредственный.Buletinul universitatii din Brasov. Ser.A, Mecanica aplicata. Electrotehnica si electronica. Constructia de masini si tehnologia prelucrarii metalelor / Universitatea din Brasov. Vol. 31, 1989. - VII,171 p. p. - Текст : непосредственный.Бобровников Л.З. Радиотехника и электроника, 1974. - 359 с. - Текст : непосредственный.Фигьера Б. Введение в электронику : методический материал / Б. Фигьера, Р. Кноэрр, 2003. - 202 с. - Текст : непосредственный.Домрачев В.Г. Базовые матричные кристаллы и матричные БИС / В. Г. Домрачев, В. Г. Домрачев, П. П. Мальцев, И. В. Новаченко, С. Н. Пономарев, 1992. - 225 с. - Текст : непосредственный.Белоусов А.В. Электротехника и электроника : выставочные материалы / А. В. Белоусов, Ю. В. Скурятин, 2015. - 184 с. - Текст : непосредственный.Соснин Э.А. Теория решения изобретательских задач в фотонике : выставочные материалы / Э. А. Соснин ; Ред.: А. В. Войцеховский, А. Н. Солдатов, 2015. - 335 с. - Текст : непосредственный.Золотов В.П. Электроника : выставочные материалы / В. П. Золотов, В. С. Семенов, А. В. Чуваков, 2011. - 272 с. - Текст : непосредственный.Новикова Е.И. Основы электроники и микропроцессорной техники : выставочные материалы / Е. И. Новикова, О. В. Родионов, 2012. - 178 с. - Текст : непосредственный.Информатика, электроника, связь / Ред. М. З. Лавриненко, 1998. - 191 с. - Текст : непосредственный.Авдонин Б.Н. Электроника. Вчера.. Сегодня. Завтра? Очерки по истории, технологии, экономике / Б. Н. Авдонин, В. В. Мартынов, 2005. - 517 с. - Текст : непосредственный.Основы электроники и электрические измерения : учебное пособие / А. С. Карандаев, А. А. Радионов, О. И. Карандаева [и др.], 2009. - 163 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Квантовая электроника : Ежемес.журн. / Физический ин-т им. П. Н. Лебедева (Москва), Институт общей физики им. А. М. Прохорова (Москва). - Журнал выходит с 1971г. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Чебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Ушаков В.Н. Электротехника и электроника / В. Н. Ушаков, 1997. - 327 с. - Текст : непосредственный.Петров М.П. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике / М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко, 1992. - 317 с. - Текст : непосредственный.Каралащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение / В. И. Каралащук, 1999. - 506 с. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Современные методы обеспечения качества и надежности электронных приборов : материалы временных коллективов / Московский Дом науч.-технической пропаганды им. Ф. Э. Дзержинского, 1990. - 148 c. - Текст : непосредственный.Голубенцев А.Ф. Введение в статистическую электронику / А. Ф. Голубенцев, Ю. И. Денисов, Л. М. Минкин, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES) : proceedings of VI All-Russia Science&Technology Conference MES-2014 : Extended abstracts / Institute for design problems in microelectronics of Russian academy of sciences. Pt. 4 : Design of system-on-chip (SoC) and IP-blocks. Digital signal processing. Unconventional cpmputing systems, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽