Полное описание
> Кучинский, П. В. Радиационное дефектообразование в кремнии и структурах на его основе в зависимости от уровня легирования и примесного состава : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.10 / П. В. Кучинский. - Минск, 1999. - 38 с. - Текст : непосредственный. В надзаг. :Белорус. гос. ун-т. Библиогр.:с. 27-35(76 назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.315.592.002:669(043) 621.315.592.002:669(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР00-сф201)>
Шифр в сводном ЭК: ab15c6ee6d37803a9bda3d3d1cddbbea
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Никифоров А.И. Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. И. Никифоров, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Расмагин С.И. Воздействие вольфрамового покрытия на свойства высокоомного компенсированного кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. И. Расмагин, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Чалдышев В.В. Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В. В. Чалдышев, 1999. - 51 с. - Текст : непосредственный. Волков Д.А. Квантовохимический метод расчета энтальпии растворения примесей Ш-Y групп в кремнии и германии : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. А. Волков, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный. Афонин Н.Н. Перераспределение легирующих примесей при термическом оксидировании монокристаллического кремния : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : диссертация на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Н. Н. Афонин, 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Адамбаев Кадамбай.Электрофизические свойства кремния, обусловленные фазовыми превращениями при диффузионном легировании маоганцем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Адамбаев Кадамбай, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Ушаков Б.В. Влияние имплантации ионов кремния и селена на состав, структуру и электрофизические характеристики полуизолирующего арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 02.00.04 / Б. В. Ушаков, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный. Жмерик В.Н. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота: применение для Р-легирования ZnSe и роста GaN : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Н. Жмерик, 2001. - 23 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽