Приложение
для AndroidПолное описание
Козловский, Э. Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - С. 245-247.
ГРНТИ 29.35.47 + 47.09.29
Аннотация: Исследованы структуры со слоем двухмерного электронного газа на границе раздела AlGaAs/InGaAs.
Доп. точки доступа:
Селезнев, Б.И.
Все экземпляры списаны
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -953369-156602)
Шифр в сводном ЭК: 36093eadeb29cb3431927991b6b4a11c
Физика конденсированного состояния: оптические явления в полупроводниках : выставочные материалы / Новгородский гос. ун-т им. Я. Мудрого, 2012. - 67 с. - Текст : непосредственный.Селезнев Б.И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Б. И. Селезнев, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Козловский Э.Ю. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,In)GaAs : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Э. Ю. Козловский, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Козловский Э.Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 245-247.Селезнев Б.И. Физика и технология СВЧ микроэлектронных приборов: формирование ионно-легированных структур для СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия : Учеб. пособие по спец. 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / Б.И.Селезнев, 1996. - 161 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.В. Транзисторные усилители-ограничители мощности в ключевых режимах с улучшенными частотными и энергетическими характеристиками : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Баранов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный.Малков Н.А. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н. А. Малков, В. П. Шелохвостов, 2000. - 123 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМикро- и нанотехнологии в электронике : материалы междунар. науч.-техн. конф., 21-27 сент. 2009 г., 2009. - 259 с. - Текст : непосредственный.Козловский Э.Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 245-247.
Микро- и нанотехнологии в электронике : материалы междунар. науч.-техн. конф., 21-27 сент. 2009 г., 2009. - 259 с. - Текст : непосредственный.Размерный эффект температуры плавления металлических частиц / Т. М. Таова, М. Х. Хоконов, Б. С. Карамурзов [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 5-13Карамурзов Б.С. Экспериментальный комплекс для исследования строения и свойств наносистем / Б. С. Карамурзов, Р. И. Тегаев, Х. Б. Хоконов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 28-35Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 55-57.Панов М.Ф. Эллипсометрия как инструмент микро- и нанотехнологий / М. Ф. Панов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 71-73Синтез тонких пленок карбида кремния методом вакуумного лазерного испарения и исследование их свойств / Н. И. Каргин, А. С. Гусев, С. М. Рындя [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 82-84.Интерференционные явления в плоских нано- и микрокристаллах бромистого серебра / И. К. Азизов, Б. А. Белимготов, З. И. Карданова [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 101-102Трехмерные датчики магнитного поля на основе магниторезестивных структур с наноразмерными толщинами пленок / В. В. Амеличев, Р. О. Гаврилов, И. А. Гамарц [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 236-238Козловский Э.Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 245-247.
Заказ фрагмента документа ₽