Полное описание

Фотоэлектрические свойства кремниевых гетероструктур со встроенными нанокристаллами β-FeSi₂ / А. В. Шевлягин, Д. Л. Горошко, Е. А. Чусовитин [и др.]. - Текст : непосредственный // Физика : фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы XII регион. науч. конф., 28-31 окт. 2013 г., Хабаровск. - Хабаровск, 2013. - С. 164-166. - Библиогр.: 2 назв.
ГРНТИ 29.31.29

Кл.слова (ненормированные): дисилицид железа -- хром
Аннотация: Представлены спектральные зависимости фотоотклика кремниевых гетероструктур со встроенными нанокристаллитами (НК) β-FeSi₂, сформированных методом твердофазной эпитаксии и методом ионной имплантации. Показано, что встраивание НК в кремниевую матрицу приводит к увеличению фотоотклика структур на порядок, пo сравнению с обычными кремниевыми фотодиодами, в области энергий (0,7-0,9) эВ, что доказывает перспективность данного подхода для создания эффективных фотодетекторов для кремниевой оптоэлектроники. Показано, что совместная имплантация Fe и Cr приводит к ухудшению чувствительности фотодетектора в 3-4 раза. Возможные причины ухудшения - генерация большого числа дефектов кристаллической структуры и (или) формирования тройного соединения.
Доп. точки доступа:
Шевлягин, А.В.
Горошко, Д.Л.
Чусовитин, Е.А.
Галкин, Н.Г.
Баязитов, Р.М.
Баталов, Р.И.


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -174290-827414)

Шифр в сводном ЭК: 9d311e075d286c7cd5f95829fb84218e

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽