Полное описание

Иванченко, М. В. Влияние скорости осаждения и квантованности высоты островков на процесс роста индия на поверхности Si(111) / М. В. Иванченко, А. С. Гуральник, А. В. Шевлягин. - Текст : непосредственный // Физика : фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы XII регион. науч. конф., 28-31 окт. 2013 г., Хабаровск. - Хабаровск, 2013. - С. 118-123. - Библиогр.: 7 назв.
ГРНТИ 81.29.29 + 29.31.26

Кл.слова (ненормированные): кремний
Аннотация: Показано, что при осаждении в условиях сверхвысокого вакуума, размером островков можно управлять, изменяя скорость осаждения в достаточно широких пределах. Ha примере системы In/Si(111) продемонстрировано, что "магичность" высот можно наблюдать с помощью оже-спектроскопии при условиях, когда наблюдения другими методиками затруднены либо невозможны.
Доп. точки доступа:
Гуральник, А.С.
Шевлягин, А.В.


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -065509-321546)

Шифр в сводном ЭК: 08f36d49798055a5f7204c7bf9bec863

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽