• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Технологии получения широкозонных материалов, гетероструктур, диодов на основе карбида кремния и расчет их характеристик : монография / В. И. Алтухов, А. В. Санкин, Р. Х. Дадашев [и др.] ; Академия наук Чеченской Республики, Комплексный научно-исследовательский институт им. Х. И. Ибрагимова Российской академии наук, Чеченский государственный университет. - Пятигорск [и др.] : Изд-во АН ЧР, 2019. - 104 с. : ил. - Библиогр.: с. 54-60 (62 назв.). - Тираж не указ. - ISBN 978-5-91857-043-2. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592-047.84
    47.13.11621.315.592.9-047.84
    47.33621.382.2-047.84

    Рубрики:
    Полупроводники -- Производство
    Гетероструктуры -- Производство
    Диоды полупроводниковые -- Производство

    Аннотация: В монографии рассмотрены новые свойства и получение наноструктурированных материалов. Реализовано моделирование и проведены расчеты свойств материалов микро, - нано электроники: полупроводники типа А2В6, SiC, GaN; твердые растворы SiC-AlN. Дано описание новых эффектов: гигантское усиление, на два и более порядка, диэлектрической проницаемости; теплового сопротивления соединений типа А2В6 и экзокерамики SiC/Si. Рассмотрены; теплопроводность SiC и его политипов; а также размерные эффекты. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки и рассчитаны вольт-амперные характеристики диодов и гетеропереходов на основе SiC. Монография содержит важный справочный материал по свойствам указанных систем. В приложениях кратко приведены некоторые данные, ряд характеристик гетеропереходов SiC и значения высот барьеров Шоттки в качестве справочного материала. Большая часть изложенных результатов получена авторами монографии. Книга адресована студентам, магистрантам, аспирантам, а также специалистам, инженерам-технологам, работающим в области микро,- наноэлектроники, физики и техники широкозонных полупроводников, наноматериалов твердотельной электроники.
    Доп. точки доступа:
    Алтухов, В.И.
    Санкин, А.В.
    Дадашев, Р.Х.
    Сигов, Александр Сергеевич
    Каргин, Н.И.
    Комплексный научно-исследовательский институт им. Х. И. Ибрагимова (Грозный)
    Чеченский государственный университет (Грозный)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-19/72948)

    Шифр в сводном ЭК: e490d52d48404a809b50d4279bc7d3eb



    Заказ фрагмента документа ₽