• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Colloquium on GaAs on Si (1988 ; London). Colloquium on GaAs on Si: Digest, 28 Mar. 1988, London / Org.by Professional group E3 with the Inst.of physics. - London : [s. n.], 1988. - Pag.var. : ill. - (Colloquim digest / Institution of electrical engineers(London) ; 1988/47). - Текст : непосредственный.
    Библиогр. в конце ст

    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.002(063)

    Рубрики:
    Галлий, арсениды, пленки -- Съезды и конференции
    Полупроводниковые приборы -- Производство -- Съезды и конференции

    Кл.слова (ненормированные): ГАЛЛИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/8511/1988/47)

    Шифр в сводном ЭК: d508a0eb6c8d6bae81f2c6d43a0cf46d



    Заказ фрагмента документа ₽