Приложение
для AndroidПолное описание
Шумилов, А. С. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в Bosch-процессе : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук: 05.27.01 / А. С. Шумилов. - 2009. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (8 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382-047.84(043) |
Аннотация: Разработка 21/2 метода моделирования формирования глубоких, высокоаспектных канавок в Si в циклическом двухстадийном травлении/пассивация процессе в плазме SF6/C4F8 (Bosch-процесс).
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-3358)
Шифр в сводном ЭК: 40004c6e77ab5584757be52f363a32bd
Моделирование формирования глубоких структур в плазменных процессах микро-нанотехнологии : выставочные материалы / И. И. Амиров, В. Ф. Лукичев, А. А. Мельников, А. С. Шумилов, 2013. - 35 с. - Текст : непосредственный.Шумилов А.С. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в Bosch-процессе : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук: 05.27.01 / А. С. Шумилов, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.Интернет-система ввода и редактирования пространственных данных "Фарамант" / И. В. Бычков, Г. М. Ружников, Р. К. Фёдоров [и др.]. - Текст : непосредственный // Вестн. компьютер. и информ. технологий. - М. - 2015. - № 9 (135). - с. 21--25
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНомоконова Н.Н. Система контроля и анализа технических свойств интегральных элементов и устройств вычислительной техники по многоуровневой модели информативных параметров : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Н. Н. Номоконова, 2010. - 40 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.А. Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках / А. А. Кравченко, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Гусев Е.Ю. Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ю. Гусев, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Хлызов В.А. Разработка системы управления и автоматизация технологического процесса лазерного управляемого термораскалывания на промышленных установках : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.14 / В. А. Хлызов, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шатунов В.В. Синтез и очистка GaEt3 и [SiH2]5-прекурсоров для создания полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.08 / В. В. Шатунов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Васев А.В. Реконструкция поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоев при МЛЭ и вакуумном отжиге : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Васев, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Никулин Ю.В. Модификация структурных и магнитных свойств тонких пленок ферромагнитных металлов, наносимых на аморфные и монокристаллические подложки для приборов магнитоэлектроники : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 01.04.04, 05.27.01 / Ю. В. Никулин, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шумилов А.С. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в Bosch-процессе : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук: 05.27.01 / А. С. Шумилов, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.Овчинников В.А. Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / В. А. Овчинников, 2009. - 30 с. - Текст : непосредственный.Зарубина О.Н. Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / О. Н. Зарубина, 2013. - 21 с. - Текст : непосредственный.Заиченко, Александр Николаевич. Физико-технологические основы термомиграционного легирования микрообластей в объеме кремния акцепторными примесями : специальность 2.2.3 - Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Заиченко Александр Николаевич, 2023. - 23 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽