Полное описание
Amorphous insulators and semiconductors : proc. of the NATO advanced study institute on amorphous insulators and semiconductors,Sozopol, Bulgaria May 26- June 8, 1996 / Ed.: M. F. Thorpe, M. I. Mitkova. - Dordrecht [etc.] : Kluwer, 1997. - X,524 p. p. : ill. - (NATO ASI(Advanced science institutes)series. Partnership sub-series 3, High technology ; vol.23). - ISBN 0-7923-4404-9. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.19.33 537.226(063) 29.19.31 537.311.322(063)
Рубрики: Диэлектрики аморфные -- Съезды и конференции
Полупроводники аморфные -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): АМОРФНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК -- АМОРФНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа: Thorpe, M.F.\ed.\
Mitkova, M.I.\ed.\
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17841/23)
Шифр в сводном ЭК: 346fe0ba80f8299cef28c208069e1f99
Properties and applications of amorphous materials : Proc. of the NATO advanced study inst., 2000, 25 Jun.- 7 Jul., Sec, Czech Republic / Ed.: M. F. Thorpe, L. Tichy, 2001. - IX, 447 p. 447 p. - Текст : непосредственный. Amorphous insulators and semiconductors : Proc. of the NATO advanced study institute on amorphous insulators and semiconductors,Sozopol, Bulgaria May 26- June 8, 1996 / Ed.: M. F. Thorpe, M. I. Mitkova, 1997. - X,524 p. p. - Текст : непосредственный. Wide band gap electronic materials : материалы временных коллективов / Ed. M. A. Prelas, 1995. - XIV,531 p. p. - Текст : непосредственный. MCM C/Mixed technologies and thick film sensors : материалы временных коллективов / Ed. W. K. Jones, 1995. - VII,318 p. p. - Текст : непосредственный. Fabrication,properties and applications of low-dimensional semiconductors : материалы временных коллективов / Ed: M. Balkanski, I. Yanchev, 1995. - XIII,457 p. p. - Текст : непосредственный. Physical and technical problems of SOI structures and devices : материалы временных коллективов / Ed. J. P. Colinge, 1995. - X,290 p. p. - Текст : непосредственный. Aqueous organometallic chemistry and catalysis : материалы временных коллективов / Ed.: I. T. Horvath, F. Joo, 1995. - XVIII,317 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Сельдюгаев О.Б. Влияние химического строения на процессы миграции носителей заряда в органических высокомолекулярных диэлектриках : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Б. Сельдюгаев, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты IWNMS 2004 / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Nonequilibrium carrier dynamics in semiconductors / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный. Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 1, 1995. - 553-808 p. p. - Текст : непосредственный. Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 2, 1995. - 809-1064 p. p. - Текст : непосредственный. Fabrication,properties and applications of low-dimensional semiconductors : материалы временных коллективов / Ed: M. Balkanski, I. Yanchev, 1995. - XIII,457 p. p. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Proceedings of the 8th Brazilian workshop on semiconductor physics : сборник / Brazilian workshop on semiconductor physics (8th ; 1997 ; Aguas de Lindoia,SP) , 1997. - 344 p. - Текст : непосредственный. Аморфные и микрокристаллические полупроводники : материалы временных коллективов / Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), 1998. - 165 с. - Текст : непосредственный. Special topics in semiconductor analysis : сборник научных трудов / Ed.: J. Frehse, H. Gajewski, 1994. - 78 p. - Текст : непосредственный. XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников : Тез. докл.: Киев, 23-25 окт. 1990 г.:В 2-х ч. Ч. 1, 1990. - 319 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников. 2015 : материалы временных коллективов / Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), 2015. - 61, [3] с. - Текст : непосредственный. Неравновесные явления в узкозонных полупроводниках и полуметаллах : материалы временных коллективов / Елецкий гос. ун-т им. И. А. Бунина, 2004. - 108 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников. 2015 : материалы временных коллективов / Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), 2015. - 61 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
