Приложение
для AndroidПолное описание
Аскеров, К. А. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых слоистых полупроводниках / К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. Г. Амиров. - Баку : Азерб. гос. изд-во, 1991. - 126 с. : ил. - 500 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.116-122(76 назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.315.592 |
Рубрики:
Полупроводники -- Диффузия
Фотодиоды
Доп. точки доступа:
Исаев, Ф.К.
Амиров, Д.Г.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д7-91/98648)
Шифр в сводном ЭК: 99709b7f9e18900384e79d9a755a975b
Аскеров К.А. Радиационно-стойкие фотоприемники на основе слоистых полупроводников GaSe, InSe, GaTe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.01 / К. А. Аскеров, 2000. - 37 с. - Текст : непосредственный.Аскеров К.А. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых слоистых полупроводниках / К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. Г. Амиров, 1991. - 126 с. - Текст : непосредственный.
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМатвеев Б.А. Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов AIIIBV : монография / Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, 2017. - 116 с. - Текст : непосредственный.
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1703) : Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем:По данным отеч.и зарубеж. печати за 1957-1991гг. / В.И.Туринов, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2011. - 447 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 16 (1687) : Электрофизические свойства твердых растворов Cd Hg Te и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1986-1992 гг. / В.И.Туринов, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.Radovanovic S. High-speed photodiodes in standard CMOS technology / S. Radovanovic, A. Annema, B. Nauta, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ильичев Н.Н. Нахождение функции отклика германиевых фотодиодов ФД-7г на длине волны 1,54 мкм / Н.Н. Ильичев, С.Е. Мосалева, Э.С. Гулямова, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бурлаков И.Д. Физические основы пороговых фотоприемников (ударная межзонная ионизация в полупроводниках) : учеб. пособие для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 200400 "Оптотехника" и 210100 "Электроника и наноэлектроника" / И. Д. Бурлаков, В. А. Холоднов, 2014. - 42 с. - Текст : непосредственный.Долбня И.П. Абсолютная спектральная чувствительность фотодиодных линеек в рентгеновском диапазоне 7-20 кэВ / И.П.Долбня,С.Г.Курыло, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Kuhn E.W. Untersuchung der Akzeptordiffusion an InP/InGaAs-Heterostrukturen : Diss. / E.W.Kuhn, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Аскеров К.А. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых слоистых полупроводниках / К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. Г. Амиров, 1991. - 126 с. - Текст : непосредственный.Орлова К.Н. Радиационные модели AlGaInP светоизлучающих диодов : монография / К. Н. Орлова, А. В. Градобоев, 2016. - 203 с. - Текст : непосредственный.Самарцев, Илья Владимирович. Излучающие и фоточувствительные гетероструктуры на длины волн более 1 мкм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Si : специальность 1.3.11. Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Самарцев Илья Владимирович, 2025. - 24 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽