Приложение
для AndroidПолное описание
Жуков, А. Е. Современные инжекционные лазеры / А. Е. Жуков, М. В. Максимов. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2009 (СПб.). - 276 с. : ил. - 100 экз. - ISBN 978-5-7422-2406-8. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.35.31 | 621.373.826.038.825.5 |
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые
Доп. точки доступа:
Максимов, М.В.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-09/64448)
Шифр в сводном ЭК: c42afb5f790aea4b7a8ca2d022340b25
Варфоломеев А.А. Поточные криптосистемы. Основные свойства и методы анализа стойкости / А. А. Варфоломеев, А. Е. Жуков, М. А. Пудовкина, 2000. - 268 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Е. Жуков, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Жуков А.Е. Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек : учебное пособие / А. Е. Жуков, 2019. - 42 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Использование абсорбционных водоаммиачных установок для аккумулирования энергии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.14.05 / М. В. Максимов, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Дистанционное определение параметров движения при зондировании последовательностью оптических импульсов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / М. В. Максимов, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Радиоэлектронные следящие системы. Синтез методами теории оптимального управления / М.В.Максимов,В.И.Меркулов, 1990. - 256 c. - Текст : непосредственный.Блочные криптосистемы. Основные свойства и методы анализа стойкости : Учеб.пособие / А.А.Варфоломеев,А.Е.Жуков,А.Б.Мельников,Д.Д.Устюжанин, 1998. - 197 с. - Текст : непосредственный.Безопасность информационных технологий. - Журнал, 2000г. № 2. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Моделирование задач устойчивости тонких пластин, содержащих дефекты типа трещин : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.02.06 / А. Е. Жуков, 2011. - 20 с. - Текст : непосредственный.Вешуткин, В. Д. Экспериментальная механика : учеб. пособие. Ч. 1, 2016. - 82 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Жуков, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. В. Максимов, 2009. - 38 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As.Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Жуков, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Механические испытания материалов : учеб. пособие / Ю. В. Глявин [и др.], 2005. - 80 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Современные инжекционные лазеры / А. Е. Жуков, М. В. Максимов, 2009. - 276 с. - Текст : непосредственный.Математические основы информационной безопасности. / М. А. Бессараб [и др.]; под ред. В. А. Матвеева, 2013. - 244 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах A B и A B, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Максимов, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Супырев А.А. Извлечение таннинов из отходов деревообработки и оценка возможности использования таннинов для удаления продуктов коррозии с металлических изделий / А. А. Супырев, М. В. Максимов. - Текст : непосредственный // Вестник Казанского технологического университета. - Казань. - 2014. - Т. 17 № 15. - с. 53-54Основы механики сплошных сред: механика деформируемого твердого тела : учеб. пособие / В. М. Волков [и др.], 2016. - 104 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Дудкин В.А. Сероуглеродные пламена как активные среды химических СО лазеров / В. А. Дудкин, 1999. - 67 с. - Текст : непосредственный.Орловский Ю.В. Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. В. Орловский, 1998. - 28 с. - Текст : непосредственный.Вахдани Могаддам Мехран.Динамика формирования нелинейного отклика и "обучение" самонакачивающихся ОВФ зеркал: петлевое и двойное ОВФ зеркала на титанате бария : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Вахдани Могаддам Мехран, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный.Легкий В.Н. Малогабаритные генераторы накачки полупроводниковых лазеров / В. Н. Легкий, И. Д. Миценко, Б. В. Галун, 1990. - 215 с. - Текст : непосредственный.JAXA research and development report / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). RR-06-014E : High quality InxGa1-xAs (X:0.1-0.13) platy crystal growth for semiconductor laser substrates / K. Kinoshita [et al.], 2007. - 7 p. - Текст : непосредственный.Кадиева П.Г. Исследование влияния импульсно-периодической ионизации на характеристики непрерывного технологического СO -лазера с самостоятельным поперечным разрядом : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Г. Кадиева, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ткачев А.Н. Кинетические модели релаксации плазмы и динамика многих частиц в лазерной физике : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-техн. наук / А. Н. Ткачев, 2002. - 47 с. - Текст : непосредственный.Прохождение оптического излучения через лазерно-активную жидкость, возбужденную осколками деления / А. Ф. Добровольский, В. В. Калинин, Е. А. Серегина, 1996. - 12 с. - Текст : непосредственный.Жарихина Л.П. Кинетические, спектральные и пороговые характеристики перестраиваемых лазеров с сосредоточенной и распределенной обратной связью : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. П. Жарихина, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 1 : Invited papers, 1990. - 113 c. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 2 : Posters, 1990. - 142 с. - Текст : непосредственный.Jaegle P. Coherent sources of XUV radiation / P. Jaegle, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Koechner W. Solid-state laser engineering / W. Koechner, 2006 r=on-lineProgress in ultrafast intense laser science. Vol. 1 / K. Yamanouchi, P. Agostini, S. L. Chin, G. Ferrante, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.High power diode lasers / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSpringer handbook of lasers and optics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineX-Ray lasers 2006 / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-line
Показать все результатыМома Ю.А. Полупроводниковые источники излучения / Ю. А. Мома, 1989. - 36 с. - Текст : непосредственный.Ladany I. Distributed feedback lasers / I. Ladany, J. T. Andrews, G. A. Evans, 1988. - XI,74 p. p. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers / J. Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Watanabe.Nonlinear behavior of twin-stripe semiconductor lasers and its application to optical logic operations / Watanabe, 1992. - 92 p. - Текст : непосредственный.Hausser S. Rekombinationsmechanismen und Wellenleitung in Quantum Well Halbleiterlasern und -verst@:arkern / S. Hausser, 1990. - 140 S. - Текст : непосредственный.
Жуков А.Е. Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек : учебное пособие / А. Е. Жуков, 2019. - 42 с. - Текст : непосредственный.Chow W.W. Semiconductor-laser physics / W.W.Chow,S.W.Koch,M.(III)Sargent, 1994. - XII,497 p. p. - Текст : непосредственный.Haisch H. Die Linienbreite von Fabry-Perot-Laserdioden und Halbleiterlasern mit verteilter Ruckkopplung : Diss. / H.Haisch, 1992. - 287 S. - Текст : непосредственный.Афоненко А.А. Теория полупроводниковых лазеров : Учеб. пособие по спецкурсу "Радиофизика" и"Физическая электроника" / А. А. Афоненко, В. К. Кононенко, И. С. Манак, 1995. - 105 с. - Текст : непосредственный.Fuchs G. Verlustprozesse und optische Verstarkung in InGaAs-Quantenfilmlasern : Diss. / G.Fuchs, 1993. - 164 S. - Текст : непосредственный.Геловани В.А. Высокомощные диодные лазеры нового типа / В.А. Геловани, А.П. Скороходов, В.И. Швейкин, 2005. - 151 с. - Текст : непосредственный.Колкер Д.Б. Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров : учеб. пособие / Д. Б. Колкер, 2009. - 67 с. - Текст : непосредственный.Формирование зарощенных меза-полосковых лазерных структур / В.П.Калинушкин,И.В.Калмыков,И.А.Рыжиков и др., 1991. - 10 c. - Текст : непосредственный.Инжекционные лазеры : Учеб.пособие / В.С.Сорокин,В.А.Мошников,В.Н.Разбегаев,А.И.Румянцева, 1999. - 95 с. - Текст : непосредственный.Goldstein B. AlGaAs heterojunction lasers / B.Goldstein,G.N.Pultz,D.B.Carlin, 1988. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Kaden C. Periodische Modulation von Brechungsindex und optischer Verstarkung bei Halbleiterlasern mit verteilter Ruckkopplung : Diss. / C.Kaden, 1995. - 145 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
JAXA research and development report / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). RR-06-014E : High quality InxGa1-xAs (X:0.1-0.13) platy crystal growth for semiconductor laser substrates / K. Kinoshita [et al.], 2007. - 7 p. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А В : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Е. Дракин, 1996. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мома Ю.А. Полупроводниковые источники излучения / Ю. А. Мома, 1989. - 36 с. - Текст : непосредственный.Ву Ван Лык.Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ву Ван Лык, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ременный М.А. Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ременный, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ladany I. Distributed feedback lasers / I. Ladany, J. T. Andrews, G. A. Evans, 1988. - XI,74 p. p. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния", 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. Г. Павлов, 2010. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Н. Мамаев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Коренев В.В. Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs / В. В. Коренев, 2013. - 17 с. - Текст : непосредственный.Анциферов В.В. Параметры генерации лазеров на ионах хрома в кристаллах изумруда и калий-скандиевого вольфрамата / В. В. Анциферов, Г. И. Смирнов, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Узкополосный перестраиваемый лазер длинноволнового инфракрасного диапазона на р-Ge : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 05.27.03 "Квантовая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / С. Г. Павлов, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жигулин С.Н. Исследование инжекционных квантоворазмерных лазеров в системе InGaAsP/GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / С. Н. Жигулин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Костко И.А. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. А. Костко, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Котельников Е.Ю. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. Ю. Котельников, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers / J. Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Е. Жуков, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кучинский В.И. Полупроводниковые InGaAsP/InP(=1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В. И. Кучинский, 1998. - 60 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽