Полное описание
Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. - Geneve : [s. n.]. - Текст : непосредственный. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz. - 1 ed. - 1987. - 33 p. : ill. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747)
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.323
Рубрики: Транзисторы полевые
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Экз-ры полностью 5751255165bb9d83246018868c5fce19 Нет сведений об экземплярах Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/1226/747/8,Sect.1)
Шифр в сводном ЭК: 5751255165bb9d83246018868c5fce19
Piles electriques. Pt. 1 : Generalites, 1987. - 51 p. - Текст : непосредственный. Piles electriques. Pt. 2 : Feuilles de specifications, 1987. - 17,[185] p. p. - Текст : непосредственный. Symboles graphiques pour schemas. Mod. 1 : Telecommunications: Transmission: Modification, 1987. - 5 p. - Текст : непосредственный. Cables et fils pour basses frequences isoles au PVC et sous gaine de PVC. Pt. 1 : Methodes generales d'essai et de verification, 1986. - 33 p. - Текст : непосредственный. Cables et fils pour basses frequences isoles au PVC et sous gaine de PVC. Pt. 3 : Fils d'equipement en conducteurs simples,en paires et en tierces,a conducteur massif ou divise,isoles au PVC, 1988. - 42 p. - Текст : непосредственный. Systemes d'enregistrement et de lecture du son sur bandes magnetiques. Pt. 11 : Code d'adressage destine.., 1988. - 16 p. - Текст : непосредственный. Essais fondamentaux climatiques et de robustesse mecanique. Pt. 2-10 : Essais - essai J et guide: Moisis sures, 1988. - 49 p. - Текст : непосредственный. Essais fondamentaux climatiques et de robustesse mecanique. Pt. 2-29 : Essais - essai Eb et guide: Secousses, 1987. - 29 p. - Текст : непосредственный. Essais fondamentaux climatiques et de robustesse mecanique. Pt. 2 : Essais - essai Ee et guide.., 1987. - 28 p. - Текст : непосредственный. Methodes d'essais communes pour les materiaux d'isolation et de gainage des cables electriques. Pt. 2,Sect.1 : Methodes specifiques pour les melanges elastomeres. Sect.1: Essai de resistance a l ozone.., 1986. - 21 p. - Текст : непосредственный. Materiaux de base a recouverement metallique pour circuits imprimes. Pt. 2,N 3 : Specifications. Specification N 3: Feuille de papier.., 1987. - 23 p. - Текст : непосредственный. Caracteristiques des lignes et des equipements a haute tension relatives aux perturbations radioelectriques. Pt. 3 : Code pratique de reduction du bruit radioelectrique, 1986. - 33 p. - Текст : непосредственный. Mesure des parametres des quartz piezoelectriques par la technique de phase nulle dans le circuit en II. Pt. 1 : Methode fondamentale pour.., 1986. - 43 p. - Текст : непосредственный. Methodes de mesure pour les equipements radioelectriques utilises dans les stations terriennes de telecommunication par satellites. Pt. 3,Sect.3 : Methodes de mesure applicate les..Sect.3: Mesures concernant la transmission.., 1988. - 64 p. - Текст : непосредственный. Essais relatifs aux risques du feu. Pt. 1,Sect.3 : Guide pour la preparation.., 1986. - 15 p. - Текст : непосредственный. Essai de fiabilite des equipements. Pt. 6 : Tests de validite de l'hypothese d'un taux de defaillance constant, 1986. - 15 p. - Текст : непосредственный. Compatibilite electromagnetique pour les materiels de mesure et de commande dans les processus industriels. Pt. 4 : Prescriptions relatives aux transitoires electriques rapides en salves, 1988. - 49 p. - Текст : непосредственный. Filtres a ondes acoustiques de surface(OAS). Pt. 3 : Encombrements normalises (chapitre IV), 1986. - 5 p. - Текст : непосредственный. Machines electriques tournantes. Pt. 4 : Methodes pour la determination a partir d'essais des grandeurs des machines synchrones, 1985. - 175 p. - Текст : непосредственный. Essais d'environnement. Pt. 1 : Generalites et guide, 1988. - 53 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с. - Текст : непосредственный. Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный. Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный. Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный. Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный. Lee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный. Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный. Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный. Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный. Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный. Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный. Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный. Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный. HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный. Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный. Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный. Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В. А. Высоцкий, О. И. Коньков, А. Г. Смирнов, Е. И. Теруков, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный. PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : монография, 1995. - 637 p. - Текст : непосредственный. Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Люмаров П.П. Применение эрмитовых поликубических интерполяционных сплайнов на сетках криволинейной формы для электрических моделей МОП-транзисторов с субмикронными размерами / П. П. Люмаров, 1990. - 39 с. - Текст : непосредственный. Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. А. Малеев, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный. Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
