Полное описание
Бакулин, А. В. III BV и интерфейсные свойства границ раздела AIII BV / сплав Гейслера : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Бакулин. - 2015. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (11 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:532.6(043)
Кл.слова (ненормированные): КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар15-9732)
Шифр в сводном ЭК: 8364eb1ce928a7389490d5697c4327f9
Бакулин А.В. Эффективные сейсмические модели трещиноватых и пористых сред / А. В. Бакулин, Л. А. Молотков, 1998. - 141 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Применение прикладных программных средств для решения задач промышленной теплоэнергетики : учеб. пособие по курсам "Приклад. прогр. средства в теплоэнергетике", "Мат. моделирование и оптимизация теплоэнергет. систем", "Числен. методы моделирования", "Алгоритмизация и оптимизация теплоэнергет. систем" для студентов, обучающихся по направлению "Теплоэнергетика и теплотехника" / А. В. Федюхин [и др.], 2016. - 88 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Особенности распространения сейсмических волн в эффективных моделях трещиноватых и пористых сред : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:04.00.22 / А. В. Бакулин, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Многоуровневая разработка программ, основанная на применении интерпретированных схем алгебры алгоритмов / А.В.Бакулин, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Акустоупругость горных пород / А. В. Бакулин, В. Н. Троян, В. Н. Бакулин, 2000. - 312 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Математическая модель языка спецификации и проектирования программ / А.В.Бакулин, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Получение и исследование комплексов хитозана и его производных с белками и меланинами : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 03.01.06 / А. В. Бакулин, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Адсорбция галогенов на поверхности (001) соединений AIII BV и интерфейсные свойства границ раздела AIII BV / сплав Гейслера : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Бакулин, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный. Бакулин А.В. Развитие метода и инструментария многоуровневого доказательного проектирования программ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.11 / А. В. Бакулин, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный. Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Паулиш А.Г. Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Г. Паулиш, 1994. - Текст : непосредственный. Еремеев С.В. Электронные свойства поверхностей металлов, полупроводников, диэлектриков со структурными дефектами, адсорбатами и тонкими пленками : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. В. Еремеев, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов М.Б. Фотопроцессы на поверхности нанопористого кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Б. Кузнецов, 2001. - 15 с. - Текст : непосредственный. Косолобов С.С. Структура и морфология поверхности кремния (111) при адсорбции кислорода и золота / С. С. Косолобов, 2008. - 17 с. - Текст : непосредственный. Латышев А.В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. В. Латышев, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный. Фроленкова Л.Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. Ю. Фроленкова, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный. Олянич Д.А. Исследование адсорбции In, Al, Co, Cu и Au на реконструированных поверхностях Si(100) и Si(111) / Д. А. Олянич, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный. Гордеева А.Б. Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs / А. Б. Гордеева, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Федяева О.А. Обратный адсорбционный пьезоэлектрический эффект в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe : автореф. дис. .. д-ра хим. наук: 02.00.04 / О. А. Федяева, 2014. - 32 с. - Текст : непосредственный. Гусейнов Э.К. Разогрев электронов излучением и поверхностные явления в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Э. К. Гусейнов, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный. Грошев Г.Е. Исследование границы раздела Si(111) SiO2 в кластерном приближении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.40.10 / Г. Е. Грошев, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный. Казанцев Д.В. Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Д. В. Казанцев, 2006. - 47 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / Т. Н. Филатова, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный. Яфясов А.М. Электронные свойства областей пространственного заряда на поверхности узкощелевых и бесщелевых полупроводников и полуметаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Яфясов, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный. Schneider R. Streuung hochfrequenter akustischer Phononen an Silizium(100)-Oberflachen mit aufkondensierten Adsorbaten : Diss. / R.Schneider, 1992. - 158 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
