Приложение
для AndroidПолное описание
Многокомпонентные халькогениды AIIB2ШC4VI : сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики ; Редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.) и др. - Кишинев : Штиинца, 1990. - 165 c. : ил. - 600 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322 |
Рубрики:
Халькогениды
Кл.слова (ненормированные): ХАЛЬКОГЕНИД
Доп. точки доступа:
Радауцан, С.И.\ред.\
Институт прикладной физики (Кишинев)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д7-90/70507)
Шифр в сводном ЭК: bee96a4aa1c5407cbc3b56311753a794
Взаимодействие экситонов с лазерным излучением : сборник / Институт прикладной физики (Кишинев), 1991. - 173 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие экситонов в полупроводниках / С. А. Москаленко [и др.]; [отв. ред. В. А. Москаленко], 1974. - 211 с. - Текст : непосредственный.Электролитическое осаждение железа / Ю.Н.Петров,Г.В.Гурьянов,Ж.И.Бобанова и др.;Под ред. Г. Н. Зайдмана;, 1990. - 195 c. - Текст : непосредственный.Кинетические процессы в молекулярных и твердотельных системах : Сб. науч. тр. / АН ССРМ, Ин-т прикл. физики, 1991. - 130 c. - Текст : непосредственный.Малиновский Т.И. Определение атомной структуры кристаллов / Т. И. Малиновский, 1973. - 116 с. - Текст : непосредственный.Электронная обработка материалов : Науч.и произв.-техн.журн. / Академия наук Республики Молдова. Ин-т прикл. физики. - Журнал. - Текст : непосредственный.Вопросы квантовой теории конденсированных сред : Сб. ст. / АН ССР Молдова. Ин-т прикл. физики, 1990. - 143 c. - Текст : непосредственный.Экситоны и биэкситоны в размерно-ограниченных системах : Сб. ст. / АН ССРМ. Ин-т прикл. физики, 1990. - 183 c. - Текст : непосредственный.Многокомпонентные халькогениды AIIB2ШC4VI : Сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики, 1990. - 165 c. - Текст : непосредственный.Коварский В.А. Многоквантовые переходы / В. А. Коварский, 1974. - 227, [1] с. - Текст : непосредственный.Коррозия и защита металлов : Сб.ст. / АН Республики Молдова,Ин-т приклад.физики, 1992. - 143 с. - Текст : непосредственный.Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники : Сб. ст. / АН ССРМ, Ин-т прикл. физики, 1991. - 198 c. - Текст : непосредственный.Кинетические эффекты в молекулярных и твердотельных системах во внешних полях : Сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики, 1990. - 112 c. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Метод исследования плотностей электронных состояний сверхпроводящих сплавов / В. А. Москаленко, 1974. - 148 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБабанлы М.Б. Трехкомпонентные халькогениды на основе меди и серебра / М.Б.Бабанлы,Ю.А.Юсибов,В.Т.Абишов, 1993. - 341 c. - Текст : непосредственный.Блинов Л.Н. Химия и физика халькогенидных, галогенхалькогенидных и фуллеренхалькогенидных стеклообразных материалов : Монография / Л.Н.Блинов, 2003. - 209 с. - Текст : непосредственный.Koppe C. Beitrage zur Strukturchemie einiger Alkalimetall-Ubergangsmetall-Chalkogenide mit [M6X8]-Baueinheiten (M=Re,Os; X=S,Se) : Diss. / C.Koppe, 1996. - 103 S. - Текст : непосредственный.Многокомпонентные халькогениды AIIB2ШC4VI : Сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики, 1990. - 165 c. - Текст : непосредственный.Bomba C. Ternare alkalimetallcobaltchalkogenide Darstellung, Struktur und magnetische Eigenschaften : Diss. / C.Bomba, 1989. - 139 S. - Текст : непосредственный.Блинов Л.Н. Халькогенидные стеклообразные материалы в политехническом : монография / Л. Н. Блинов, А. В. Семенча, 2019. - 279 с. - Текст : непосредственный.Девятых Г.Г. Высокочистые халькогены / Г.Г.Девятых,М.Ф.Чурбанов, 1997. - 243 с. - Текст : непосредственный.Lecture notes in physics / ed. R. Beig [et al.]. 676 : Half-metallic alloys : fundamentals and applications / ed. I. Galanakis, P. H. Dederichs, 2005. - XI, 311 p. - Текст : непосредственный.Сложные халькогениды в системах A - B - C / В.Б.Лазарев,З.З.Киш,Е.Ю.Переш,Е.Е.Семрад, 1993. - 240 c. - Текст : непосредственный.Bericht / Paul Scherrer Inst. N 03-13 : Extension of Miedema's macroscopic atom model to the elements of group 16 (O, S, Se, Te, Po) / J.Neuhausen,B.Eichler, 2003. - 196 p. - Текст : непосредственный.Блецкан Д. И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе. Т. 1, 2004. - 290 с. - Текст : непосредственный.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гребенник А.В. Оптико-тензиметрическое исследование нестехиометрии CdTe, ZnSe и ZnTe : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Гребенник, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽