Полное описание
Овчинников, А. В.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:621.373.826(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар07-14862)
Шифр в сводном ЭК: 2683380ac88ae86fb3f634908fe1d4f2
Овчинников А.В. Алгебра и геометрия для студентов-физиков : лекц. курс. Семестр 1, 2016. - 359 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Каравайков В.М. Инновационные методы повышения энергоэффективности тепличных комбинатов / В. М. Каравайков, Н. В. Киселев, А. В. Овчинников, 2013. - 166 с. - Текст : непосредственный. Аршакян А.А. Основы электроакустики : учеб. пособие / А. А. Аршакян, Е. А. Макарецкий, А. В. Овчинников, 2016. - 102 с. - Текст : непосредственный. Евразийская патентно-информационная система / Х. Ф. Фаязов [и др.], 2006. - 107 с. - Текст : непосредственный. Использование евразийской патентно-информационной системы (ЕАПАТИС) при проведении патентных поисков / Х. Ф. Фаязов [и др.], 2009. - 92 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Системы Тоды,ассоциированные с алгебрами Ли,и W-алгебры в некоторых задачах математической физики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени математической физики / А. В. Овчинников, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Радиооптические устройства информационно-измерительных систем на основе структур с резонансной угловой фильтрацией : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.16 / А. В. Овчинников, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Обоснование и разработка водородной технологии производства деформированных полуфабрикатов из титановых сплавов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.16.09 / А. В. Овчинников, 2011. - 47 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Лабораторные работы по определению физико-механических характеристик грунтов : учеб. пособие / А. В. Овчинников, Е. А. Ермолович, Е. В. Лычагин, 2015. - 236 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Программные средства автоматизированного проектирования РЭС : учеб. пособие / А. В. Овчинников, 2016. - 122 с. - Текст : непосредственный. Установка на основе непрерывного Nd:YAC лазера с модулем добротности и активной синхронизацией мод для исследования сверхбыстрых процессов в люминесценции и спектроскопии / А.Н.Киркин,А.М.Можаровский,А.В.Овчинников,М.Б.ПАопов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / А. В. Овчинников, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Методы идентификации динамических параметров и оценки колебаний космических аппаратов с нежесткими элементами конструкции / Д. С. Иванов [и др.], 2015. - 32 с. - Текст : непосредственный. Петин А.Н. Техногенные воздействия при разработке месторождений мела на окружающую среду / А.Н. Петин, П.В. Голеусов, А.В. Овчинников. - Текст : непосредственный // Горный информационно-аналитический бюллетень. - М. - 2008. - № 5. - с. 212-215 Овчинников, А. В. Алгебра и геометрия в вопросах и задачах : пособие. Кн. 1 : Основы алгебры и аналитической геометрии : более 500 подробно разобр. примеров и тренировоч. задач, 2016. - 278 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Кремнев А.Ю. Лазерная генерация структурных дефектов и твердофазное разрушение поверхности кремния : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.03 / А. Ю. Кремнев, 2003. - 18 c. ил. - Текст : непосредственный. Гук И.В. Исследование роли обратных связей при микроструктурировании поверхности кремния ультракороткими лазерными импульсами : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.03 / И. В. Гук, 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный. Овчинников А.В. Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / А. В. Овчинников, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Макаров С.В. Нано- и микроструктурирование поверхности металлов и полупроводников в воздухе при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / С. В. Макаров, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный. Шлыков Ю.Г. Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. Г. Шлыков, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Алымов, Георгий Вадимович. Теория терагерцовой лазерной генерации в узкозонных полупроводниках : Специальность 01.04.07 - "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Алымов Георгий Вадимович, 2020. - 23 с. - Текст : непосредственный. Егоренков, Владимир Александрович. Многоэтапный итерационный процесс для реализации консервативных разностных схем при моделировании 2D и 3D полупроводниковой плазмы, индуцированной оптическим импульсом : специальность 1.2.2 - "Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ": автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Егоренков Владимир Александрович, 2023. - 23 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
