Приложение
для AndroidПолное описание
Электрические параметры распределенных схем замещения неоднородно проводящих сред с нелинейными элементами / А.П.Бурдак,Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов и др. - Киев : [б. и.], 1989. - 19 с. : ил. - (Препринт ; 614). - 150 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 18 (15 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.5(04) |
Рубрики:
Проводники (эл.)
Кл.слова (ненормированные): ПРОВОДНИК
Доп. точки доступа:
Бурдак, А.П.
Глушков, Е.А.
Резцов, В.Ф.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/18584/614)
Шифр в сводном ЭК: 1c361bad2d471de3d46dd2aba83a1bf2
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchwab R. Computation of the surface impedance in normal conductors / R. Schwab, 1997. - 13 p. - Текст : непосредственный.Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный.Применение метода конечных суперэлементов для расчета распределений электрического потенциала и плотности тока в проводящих объектах / В. Э. Бородай, М. П. Галанин, С. А. Лазарева [и др.], 2008. - 25 с. - Текст : непосредственный.Стрельцов В.Н. Electric potential of ring current-carrying connductor / В. Н. Стрельцов, 1992. - 3 p. . - Текст : непосредственный.Wees B.J.van Quantum ballistic and adiabatic electron transport,studied with quantum point contacts / B. J.van Wees, 1989. - 125 p. - Текст : непосредственный.Каскадная система многопарных проводников. - 7 c. - Текст : непосредственный.
Рощин В.М. Технология проводящих и диэлектрических материалов : учебное пособие / В. М. Рощин, 2007. - 192 с. - Текст : непосредственный.Freche P. Numerische Untersuchungen zum Lokalisierungs-Delokalisierungs-Ubergang in zweidimensionalen mesoskopischen Leitern : Diss. / P.Freche, 1997. - 131 S. - Текст : непосредственный.Бакиров В.Ф. Интегральные соотношения для задачи о трещине на границе раздела пьезоэлектрика и проводника / В.Ф.Бакиров, 2002. - 30 с. - Текст : непосредственный.Бакиров В.Ф. Трещина на границе раздела пьезоэлектрика и проводника под действием электрической и механической нагрузок / В.Ф.Бакиров, 2002. - 40 с. - Текст : непосредственный.Серебряков А.С. Электротехническое материаловедение. Проводниковые и магнитные материалы : учеб. пособие / А. С. Серебряков, 2006. - 140 с. - Текст : непосредственный.Распределение зарядов на поверхности проводника в условиях электростатического равновесия / ВЦП. - 13 c. - Текст : непосредственный.Стрельцов В.Н. On the EKL-effect / В.Н.Стрельцов, 1992. - 3 p. - Текст : непосредственный.Белоколос Е.Д. Теория фрелиховской проводимости / Е.Д.Белоколос, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Бородулин В.Н. Магнитные, проводниковые, полупроводниковые материалы : Конспект лекций по курсу Электротехн.материаловедение / В.Н.Бородулин;Под ред.С.В.Серебрянникова, 1994. - 62 c. - Текст : непосредственный.Ерастов В.А. Электроны электростатического заряда проводников, особенности их поведения / В. А. Ерастов, 2012. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мингалев Б.С. Аналитическое решение нелинейной краевой задачи об омическом нагреве проводника цилиндрической формы / Б.С.Мингалев, 1989. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Стрельцов В.Н. Electric potential of ring current-carrying connductor / В. Н. Стрельцов, 1992. - 3 p. . - Текст : непосредственный.Казачковский О.Д. Модель дискретной структуры электронного поля в проводниках / О.Д.Казачковский, 1995. - 50 c. - Текст : непосредственный.Бакиров В.Ф. Интегральные соотношения для задачи о трещине на границе раздела пьезоэлектрика и проводника / В.Ф.Бакиров, 2002. - 30 с. - Текст : непосредственный.Бакиров В.Ф. Трещина на границе раздела пьезоэлектрика и проводника под действием электрической и механической нагрузок / В.Ф.Бакиров, 2002. - 40 с. - Текст : непосредственный.Белоколос Е.Д. Теория фрелиховской проводимости / Е.Д.Белоколос, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мингалев Б.С. Аналитическое решение нелинейной краевой задачи об омическом нагреве проводника цилиндрической формы / Б.С.Мингалев, 1989. - 15 с. - Текст : непосредственный.Электрические параметры распределенных схем замещения неоднородно проводящих сред с нелинейными элементами / А.П.Бурдак,Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов и др., 1989. - 19 с. - Текст : непосредственный.Стационарная и квазистационарная токовые задачи для проводника, перпендикулярного границе раздела электропроводной и непроводящей сред / А.С.Зирберглейт,Н.Н.Лебедев,И.П.Скальская,Э.А.Тропп, 1990. - 61 с. - Текст : непосредственный.Стрельцов В.Н. Электрический потенциал кольцевого проводника с током / В.Н.Стрельцов, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный.Степанов В.Е. Мультипольная параметризация вариационного принципа Дирихле в осесимметричном случае взаимодействия сферических проводников : Препринт / В.Е.Степанов,Г.А.Татарников, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.Голдин Б.А. Электропроводящая керамика на основе маложелезистых бокситов среднего тимана / Б. А. Голдин, Н. А. Секушин, Ю. И. Рябков, 1992. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽