ГПНТБ России - Полное описание

Полное описание

Advanced materials design and mechanics : sel., peer rev. papers from the 2012 Intern. conf. on advanced materials design and mechanics (ICAMDM 2012), Jun. 5-7, 2012, Xiamen, China / Intern. conf. on advanced materials design and mechanics (2012; Xiamen) ; ed. J. Guo. - Pfaffikon : Trans tech publ., 2012. - on-line. - (Advanced materials research ; vol. 569). - URL: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.569. - Загл. с экрана. - ISBN 978-3-03813-896-9. - Текст : электронный.

ГРНТИ	УДК
81.09	620.22(063)
30	531/534(062)

Кл.слова (ненормированные): КОНФЕРЕНЦИИ -- МЕХАНИКА -- ПРОГРЕССИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Доп. точки доступа:
Guo, J.\ed.\
International conference on advanced materials design and mechanics (2012 ; Xiamen)

https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.569

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): ???-556685/569)

Шифр в сводном ЭК: 76f8602eb638046cad40d7eab6cb7787

Industrial design and mechanical power : материалы временных коллективов / International conference on industrial design and mechanical power (2012 ; Huangshan), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Mechatronics and applied mechanics : sel., peer rev. papers from the 2011 Intern. conference on mechatronics and appl. mech. (ICMAM 2011), Dec. 27-28, 2011, Hong Kong: in 2 pt. set: pt. 1 / Intern. conf. on mechatronics and appl. mech. (2011; Hong Kong), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Lundstrom M.S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo, 2006. - VI, 217 p. - Текст : непосредственный.Guo J. Entwicklung einer Methode zur schnellen Bestimmung des Zusammenhangs zwischen Garn, Schlichtemittel und Laufverhalten in der Weberei : Diss. / J.Guo, 2000. - 98 S. - Текст : непосредственный.Optical recognition of chinese characters / R.Suchenwirth,J.Guo,I.Hartmann и др., 1989. - VII, 144 p. 144 p. - Текст : непосредственный.Advanced materials design and mechanics : sel., peer rev. papers from the 2012 Intern. conf. on advanced materials design and mechanics (ICAMDM 2012), Jun. 5-7, 2012, Xiamen, China / Intern. conf. on advanced materials design and mechanics (2012; Xiamen), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Lundstrom M.S. Nanoscale transistors : device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ab initio calculations of X-ray emission from C60 / J.-H.Guo,Y.Luo,O.Vahtras и др., 1994. - 12 p. - Текст : непосредственный.