Полное описание
Городниченко, О. К. ISBN 5-11-004222-5. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.23
Рубрики: Галлий, арсениды
Эпитаксия
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-93/14663)
Шифр в сводном ЭК: 87dd1adca979dcdd539b212bd6647c1b
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Попов В.Ф. Установки молекулярно-пучковой эпитаксии / В. Ф. Попов, 1991. - 48 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный. Головнев И.Ф. Квантовая модель элементарных процессов в молекулярно-лучевой эпитаксии. 1.Решение нестационарного уравнения Шредингера в потенциалах, моделирующих взаимодействие с поверхностью / И.Ф.Головнев,О.В.Хохлов, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный. Kuball M. Effekte der Oberflache,der Dotierung und eines elektrischen Feldes auf die optischen und elektronischen Eigenschaften von GaAs : Diss. / M.Kuball, 1995. - 214 S. - Текст : непосредственный. Ayers J.E. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth and characterization / J. E. Ayers, 2007. - 455 p. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1530) : Применение осцилляций зеркально-отраженного пучка в дифракции быстрых электронов на отражение для кинетических исследований в молекулярно-лучевой эпитаксии : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1979-1988 гг. / Г.С.Дорджин,Л.Г.Елисеенко,В.А.Игнатюк,Н.Н.Ставнистый, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный. Ефимов А.Н. Геометрические аспекты гетероэпитаксии / А. Н. Ефимов, А. О. Лебедев, 2012. - 109 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIII BV через тонкую газовую зону : монография / И. А. Сысоев, Л. С. Лунин, 2015. - 96 с. - Текст : непосредственный. Бетеров И.М. Методы диагностики молекулярных пучков / И.М.Бетеров,А.С.Яценко, 1991. - 49 c. - Текст : непосредственный. Advances in epitaxy and endotaxy / Ed. H. G. Schneider, 1990. - 460 p. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / Ин-т "Электроника". Вып. 4(1666) : Современные достижения молекулярно-лучевой и лазерной эпитаксии в создании пленочных квантовых структур:По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1976-1990 гг. / С.С.Гельбух,А.С.Джумалиев,Ю.В.Ершова и др, 1992. - 61 с. - Текст : непосредственный. Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия / О.К.Городниченко, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный. Калашников А.Н. Аппроксимация интегралов столкновения для потенциалов Леннарда-Джонса m-6 в интервале приведенных температур Т = 0,4 200 и показателей m=8 / А.Н.Калашников,Л.Р.Фокин, 1997. - 39 c&. - Текст : непосредственный. Лойко Н.Н. Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию / Н.Н.Лойко;Под ред.Ю.В.Копаева, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный. Обзор. ФЭИ-0241 : Технологические аспекты жидкофазной эпитаксии полупроводников, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Razeghi M. The MOCVD Challenge. Vol. 1 : survey of GaInAsP-InP for photonic and electronic applications, 1989. - XII,328 p. p. - Текст : непосредственный. Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный. Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern / R. Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный. Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H. Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный. Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов : рекомендовано методсоветом ВУЗа / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Н. А. Форостяная ; ред. В. Ф. Маркова, 2017. - 281 с. - Текст : электронный. Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
