Полное описание
Красников, Г. Я.
ГРНТИ УДК 47.33.31 621.3.049.771.14.002:658.562
Рубрики: Интегральные схемы большие -- Качество
Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- КАЧЕСТВО
Доп. точки доступа: Зайцев, Н.А.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-99/51659)
Шифр в сводном ЭК: 61510c7ada57d5ae485e5e0548373df1
Зайцев Н.А. Замкнутая формулировка трехмерной нестационарной задачи в ограниченной области о взаимодействии электромагнитного поля с диспергирующей решеткой / Н. А. Зайцев, 2006. - 30 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Усеченные условия полной прозрачности на открытых границах в изотропных средах / Н. А. Зайцев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Возможная термодинамическая модель для использования в схеме прямого моделирования двухфазных потоков / Ю. Г. Рыков, Н. А. Зайцев, В. В. Кабанов [и др.], 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный. Труды Московского семинара по философии математики / МГУ им. М. В. Ломоносова. Филос. фак. Кн. 6 : Математика и реальность / под ред. В. А. Бажанова [и др.], 2014. - 502 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Актуальные задачи микроэлектроники: технологии и микросхемы : научные результаты НИИ молекулярной электроники за 2018 год / Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники", 2019. - 138 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета. Т. 2(4) : Материалы научного семинара по теме: "Элементная база СБИС: транзисторные структуры" : [Москва, 27 февраля 2019 г.] / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 132 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Основы теории систем и комплексов радиоэлектронной борьбы : учеб. пособие / Н. А. Зайцев, Е. А. Макарецкий, 2016. - 171 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Проектирование многокомпонентных жаростойких покрытий монокристаллических лопаток ГТД на основе оценки их структурной и фазовой стабильности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.01 / Н. А. Зайцев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Расчет течений жидкости Ван дер Ваальса в модели диффузного интерфейса локальным разрывным методом Галеркина / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Расчет оператора неотражающих граничных условий на трехмерной плоской границе для однородной в нормальном направлении среды / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета / Российская академия наук, Научный совет "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания". Т. 3(5) : Материалы заседания Научного совета и научного семинара по теме: "Системы металлизации" / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 106 с. - Текст : непосредственный. Софронов И.Л. Transparent artificial boundary conditions for waves leaving a highly-stretched cylindrical computational domain / И.Л.Софронов,Н.А.Зайцев, 1999. - 23 p. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Стабилизация структурно-примесных и электрофизических свойств системы Si-SiO в производстве кремниевых микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 06.27.01 / Н. А. Зайцев, 1994. - 51 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный. Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный. Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный. Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный. Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный. Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный. Микросхемы интегральные серии КР580.. К744 / "Электростандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1993. - 224 c. - Текст : непосредственный. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо, 2007. - 121 с. - Текст : непосредственный. Овечкин Р.М. Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них : специальность 05.12.07 "Антенны, СВЧ устройства и их технологии" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. М. Овечкин, 2004. - 16 c. - Текст : непосредственный. Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный. Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Сибагатуллин А.Г. Повышение помехоустойчивости аналого-цифровых систем на кристалле средствами адаптивной коррекции сложных функциональных блоков / А. Г. Сибагатуллин, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Назаров А.А. Проектирование тестовых схем для аттестации технологичесчких процессов производства СБИС : специальность 05.27.05 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. А. Назаров, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Руднев А.В. Статистические модели контроля выхода годных и технологических потерь в производстве СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Руднев, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г.Я.Красников,Н.А.Зайцев, 1999. - 226, 216 с. 216 с. - Текст : непосредственный. Автоматизированный тестовый контроль производства БИС / С.С.Булгаков,Д.Б.Десятов,С.А.Еремин,В.В.Сысоев, 1992. - 192 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. Ч. 1, 1999. - 226 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. Ч. 2, 1999. - 216 с. - Текст : непосредственный. Director S.W. VLSI design for manufacturing: yeild enhancement / S.W.Director,W.Maly,A.J.Strojwas, 1990. - XII,291 p. p. - Текст : непосредственный. Ткаченко С.А. Моделирование выхода годных МОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.17.01 / С. А. Ткаченко, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Игнатьев А.С. Электронная Оже-спектроскопия для исследования и контроля технологии СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. С. Игнатьев, 1993. - 45 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
