Полное описание
> Коноплева, Р. Ф. Особенности влияния разупорядоченных областей на температурную зависимость коэффициента Холла в n-GeSb, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора / Р.Ф.Коноплева,И.В.Назаркин. - Гатчина (Ленингр. обл.) : [б. и.], 2003. - 10 с. : ил. - (Препринт / Ленинградский ин-т ядерной физики им. Б.П.Константинова ; ПИЯФ-2003 2517). - 100 экз. - Текст : непосредственный. Библиогр.: с. 10(11 назв.)
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.16(04)
Рубрики: Холла эффект
Германий -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ -- ГЕРМАНИЯ -- ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ЭФФЕКТ ХОЛЛА
Доп. точки доступа: Назаркин, И.В.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/24446/ПИЯФ-2003 2517)>
Шифр в сводном ЭК: a18b144e8e98fae133486792202fbc76
Исследование влияния условий высокотемпературного отжига на электрические свойства YBa'2Cu'3O'X керамики, облученной быстрыми нейтронами реактора / Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин, М. В. Чудаков, Б. А. Борисов, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Коноплева Р.Ф. О некоторых особенностях температурной зависимости коэффициента Холла в резистивном состоянии ВТСП-материалов / Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Назаркин И.В. Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. В. Назаркин, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный. Евсеев В.А. Микроволновый метод исследования критических параметров и констант ВТСП / В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. С. Чащин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный. Мартенситные превращения в сплавах TiNi с эффектом памяти формы при нейтронном облучении в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М / С. П. Беляев [и др.], 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный. Назаркин И.В. Исследование особенностей деградации керамики состава YBa Cu O -X в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора / И. В. Назаркин, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Фазовые превращения и эффект памяти формы в сплавах TiNi при различных температурах облучения нейтронами реактора / С. П. Беляев [и др.], 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный. Коноплева Р.Ф. Прыжковая проводимость Ge, конвертированного облучением быстрыми нейтронами реактора в р-тип : Препринт / Р.Ф.Коноплева,И.В.Назаркин, 2003. - 9 с. - Текст : непосредственный. Коноплева Р.Ф. Особенности влияния разупорядоченных областей на температурную зависимость коэффициента Холла в n-Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора / Р.Ф.Коноплева,И.В.Назаркин, 2003. - 10 с. - Текст : непосредственный. Коноплева Р.Ф. Исследование спектров неупругой релаксации YBа2CзO -керамики методом ультразвуковой резонансной спектроскопии : Препринт / Р.Ф.Коноплева,И.В.Назаркин, 2003. - 9 с. - Текст : непосредственный. Установка для низкотемпературных (20:300К) исследований ВТСП в условиях облучения реакторными нейтронами / А.К.Пустовойт,Б.А.Борисов,Р.Ф.Коноплева и др., 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный. Евсеев В.А. Оптические свойства ВТСП-материалов в ИК-области спектра / В.А.Евсеев,Р.Ф.Коноплева, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный. Критическое поведение Y-Ba-Cu-O ВТСП-керамики при облучении нейтронами реактора / Б.А.Борисов,В.А.Евсеев,Р.Ф.Коноплева,В.А.Чеканов, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Фотоэлектрические свойства нейтроннолегированных твердых растворов Si Ge / В. А. Евсеев, А. Г. Забродский, Р. Ф. Коноплева и др., 1994. - 19 c. - Текст : непосредственный. Исследование транспортных свойств YBaCuO-пленок в процессе облучения нейтронами реактора при температуре 25-30К / Б.А.Борисов,Р.Ф.Коноплева,А.К.Пустовойт,В.А.Чеканов, 1993. - 28 с. - Текст : непосредственный. Евсеев В.А. Исследование радиочастотным методом параметров ВТСП-материалов, облученных нейтронами / В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. С. Чащин, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Изменение магнитных свойств YBaCuO-керамики при низкотемпературном облучении нейтронами реактора / В.А.Чеканов,Р.Ф.Коноплева,А.К.Пустовойт и др., 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Система контроля и управления стабилизаторами тока нагревателей и узлами измерения вакуума в рефрижераторе растворения Не в Не / А. Г. Дернятин, А. И. Ковалев, В. В. Марченков [и др.], 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев С.И. Плоскопараллельная камера / С. И. Воробьев, В. Г. Ивочкин, С. В. Косьяненко, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Поиск солнечного аксиона, излучаемого при М1-переходе ядра Li* / А. В. Дербин, А. И. Егоров, И. А. Митропольский, В. Н. Муратова, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Обзоры по теплофизическим свойствам веществ : Обзор.информ. / АН СССР.Ин-т высоких температур,Науч.-информ.центр по теплофиз.свойствам чистых веществ. № 5(85) : Эффект Холла в чистых металлах при высоких температурах, 1990. - 94 с. - Текст : непосредственный. Korner A. Doppeltperiodische Wellenfunktionen fur den fraktionalen Quanten-Hall-Effekt / A. Korner, 1995. - IV,114 S. S. - Текст : непосредственный. Коноплева Р.Ф. О некоторых особенностях температурной зависимости коэффициента Холла в резистивном состоянии ВТСП-материалов / Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7204 : Interaction and phase relaxation in disordered nanowires and quantum hall systems : Diss. / T.Ludwig, 2006. - II, 131 p. - Текст : непосредственный. Pfannkuch D. Ober den Hall-Effect eines zweidimensionalen Elektronengases mit Coulomb-Wechelwirkung / D. Pfannkuch, 1990. - 106 S. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1347) : Эффект Холла в расплавах полупроводников : По данным отеч. и зарубеж. печати за 1965-1987 гг.ч. 2. Полупроводниковые расплавы / В.М.Глазов,В.Б.Кольцов,С.В.Сиротюк, 1988. - 49 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Зайцев Б.А. Комплекс программ-интерпретаторов температурных зависимостей эффекта Холла и электропроводности в системах со слоистыми неоднородностями / Б. А. Зайцев, А. А. Таскин, Е. Г. Тишковский, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. quantum Hall effect / Eds.: R.E.Prange, S.M.Girvin, 1990. - XVI, 473 p. 473 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный. Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный. Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный. Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный. Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Объемное отражение 1 ГэВ протонов изогнутым кристаллом кремния / Ю. М. Иванов [и др.], 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов, развивающихся в ориентированных кристаллах кремния и вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2012. - 9 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от гамма-квантов, развивающихся в ориентированном кристалле вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный. Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный. Наблюдение отражения протонного пучка от изогнутых атомных плоскостей / Ю. М. Иванов [и др.], 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽