• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Установки для химического осаждения из газовой фазы и эпитаксиального выращивания пленок, применяющихся в электронной промышленности / ВЦП. - 19 c. : ил. - Япон.яз. - Пер.ст. / М. Акиба, Канаи из журн.: // Дэнси дзайре. - 1988. - Vol. 27, N 12(прилож). - P. 36-42. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.: 10 назв.
    ГРНТИ 47.33.31

    Рубрики:
    Интегральные схемы большие

    Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ ПЛЕНОК
    Доп. точки доступа:
    Акиба, М.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): 06931000669)

    Шифр в сводном ЭК: 129f5ec0b3bcde1ce2f15fd13bab2d4e



    Заказ фрагмента документа ₽