• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Дмитриев, В. А. Р-n-структуры на основе широкозонных полупроводников:SiC и A N.Разработка технологии,получение и исследование : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук в форме науч.докл. / В. А. Дмитриев. - СПб, 1996. - 48 с. : ил. - Текст : непосредственный.
    В надзаг. : Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе.Библиогр.:с. 41-48

    ГРНТИ УДК
    47.33621.315.592.9(043)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР96-1836)

    Шифр в сводном ЭК: c412ebc935031a3abc448e067ac94005



    Заказ фрагмента документа ₽