Полное описание
Будник, А. В.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.382.323.001.57(043) 621.3.049.771.14.001.2(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-5397)
Шифр в сводном ЭК: 533a2d8d9d4ce0cf5897c3ce22c963ce
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Евсиков И.А. Применение спектральных методов линейной декомпозиции для синтеза на современной элементной базе : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Евсиков, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ал-Доври Абдул Саттар Абдул Джабар.Функциональная мера сложности вычислений в автоматных схемах : специальность 01.01.09 "Дискретная математика и математическая кибернетика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Ал-Доври Абдул Саттар Абдул Джабар, 1994. - 10 с. - Текст : непосредственный. Фомин Г.Г. Разработка оптимизационных алгоритмов трассировки многокристальных микросборок с учетом условий реализации соединений в каналах : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Г. Г. Фомин, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный. Баринов В.В. Теория и методы проектирования технологически зависимых СБИС. На примере МДП СБИС ДОЗУ : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. В. Баринов, 1991. - 50 с. - Текст : непосредственный. Дворников О.В. Схемно-топологическая оптимизация элементной базы аналоговых и аналого-цифровых БИС/СБИС частного применения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. В. Дворников, 1994. - 21 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Рогозов Ю.И. Основы теории и методов логического и схемотехнического проектирования функциональных устройств БИС в гибридном базисе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.01, 05.13.05 / Ю. И. Рогозов, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Леженин В.П. Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. П. Леженин, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный. Мухлаева И.В. Разработка и исследование генетических методов одномерной упаковки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / И. В. Мухлаева, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный. Шаров Б.Г. Исследование вопросов формирования интерфейсов при проектировании БИС на базовых матричных кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / Б. Г. Шаров, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный. Рыбаков В.В. Разработка подсистемы САПР тестопригодного проектирования СБИС и МЭА : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / В. В. Рыбаков, 1997. - 25 с. - Текст : непосредственный. Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный. Riessen R.P.van Module generation for selftesting integrated systems : Diss. / R.P.van Riessen, 1991. - 220 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
