Приложение
для AndroidПолное описание
Павлык, А. В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Павлык. - СПб., 2005. - 14 c. - Библиогр.: с. 13-14 (13 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.77-047.84:621.793(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар05-3772)
Шифр в сводном ЭК: 0483a5e692e357c1c5599a170c8de228
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыThielking D. Strukturelle Untersuchungen zur Heteroepitaxie:Wachstum ultradunner Silberschichten auf Silizium(111)-7x7-Substraten : Diss. / D.Thielking, 1993. - 120 S. - Текст : непосредственный.Павлык А.В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Павлык, 2005. - 14 c. - Текст : непосредственный.Лапин Д.Г. Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+ : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. Г. Лапин, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Holweg P.A.M. Mesoscopic phenomena in metallic point contacts : Diss. / P.A.M.Holweg, 1992. - X,141 p. p. - Текст : непосредственный.Jeugd C.A.van der Chemical vapour deposition of tungsten from WF6/SiH4 and WF6/GeH4 : Diss. / C.A.van der Jeugd, 1992. - 112 p. - Текст : непосредственный.Порошков В.П. Процессы селективного химического и электрохимического осаждения серебра на поверхность пленок диоксида титана : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. П. Порошков, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Лисковская Т.И. Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (i), (Ii) и получение медных пленок на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / Т. И. Лисковская, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Мозалев А.М. Исследование электрохимических и плазмохимических процессов обработки слоев алюминия,тантала и их анодных оксидов при создании планарной многоуровневой металлизации СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. М. Мозалев, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Yu X. Untersuchungen zum Einfluss von mechanischem Stress auf die Migration in Metallisierungsstrukturen integrierter Schaltungen : Diss. / X.Yu, 2000. - X, 91 S. 91 S. - Текст : непосредственный.Тимаков, Алексей Валерьевич. Физико-технологические решения создания межсоединений металлизации высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплавов вольфрама : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Тимаков Алексей Валерьевич, 2024. - 22 с. - Текст : непосредственный.Горохов, Сергей Александрович. Исследование диффузии примеси меди в барьерном слое гексагонального рутения для системы металлизации СБИС : специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Горохов Сергей Александрович, 2025. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽