Полное описание
> Жуков, А. Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Жуков. - СПб, 1996. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе.Библиогр.:с. 17-20
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9(043) | |
| 47.35.31 | 621.373.826.038.825.5(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР96-4835)>
Шифр в сводном ЭК: 2434f01f5396d0de43f1d48049664879
Варфоломеев А.А. Поточные криптосистемы. Основные свойства и методы анализа стойкости / А. А. Варфоломеев, А. Е. Жуков, М. А. Пудовкина, 2000. - 268 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Е. Жуков, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Жуков А.Е. Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек : учебное пособие / А. Е. Жуков, 2019. - 42 с. - Текст : непосредственный.Блочные криптосистемы. Основные свойства и методы анализа стойкости : Учеб.пособие / А.А.Варфоломеев,А.Е.Жуков,А.Б.Мельников,Д.Д.Устюжанин, 1998. - 197 с. - Текст : непосредственный.Безопасность информационных технологий. - Журнал, 2000г. № 2. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Моделирование задач устойчивости тонких пластин, содержащих дефекты типа трещин : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.02.06 / А. Е. Жуков, 2011. - 20 с. - Текст : непосредственный.Вешуткин, В. Д. Экспериментальная механика : учеб. пособие. Ч. 1, 2016. - 82 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Жуков, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As.Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Жуков, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Механические испытания материалов : учеб. пособие / Ю. В. Глявин [и др.], 2005. - 80 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Современные инжекционные лазеры / А. Е. Жуков, М. В. Максимов, 2009. - 276 с. - Текст : непосредственный.Математические основы информационной безопасности. / М. А. Бессараб [и др.]; под ред. В. А. Матвеева, 2013. - 244 с. - Текст : непосредственный.Основы механики сплошных сред: механика деформируемого твердого тела : учеб. пособие / В. М. Волков [и др.], 2016. - 104 с. - Текст : непосредственный.Петербургская библиотечная школа. - Журнал, 2017г. № 4.Петербургская библиотечная школа. - Журнал, 2019г. № 3. - Текст : непосредственный.Петербургская библиотечная школа. - Журнал, 2018г. № 2.Механические испытания материалов : учеб. пособие / А. Е. Жуков [и др.], 2014. - 85 с. - Текст : непосредственный.Материалы и сообщения по фондам Отдела рукописей БАН. Вып. 8 : [памяти Александра Александровича Амосова] / составители и редакторы: Ф. В. Панченко (отв. ред.), О. С. Сапожникова, 2020. - 747 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Наука и библиотека : сборник научных трудов / Библиотека Российской академии наук. Вып. 3 / редакционная коллегия: Н. В. Колпакова (отв. ред.) [и др.], 2021. - 224, [1] с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Дудкин В.А. Сероуглеродные пламена как активные среды химических СО лазеров / В. А. Дудкин, 1999. - 67 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Орловский Ю.В. Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. В. Орловский, 1998. - 28 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Вахдани Могаддам Мехран.Динамика формирования нелинейного отклика и "обучение" самонакачивающихся ОВФ зеркал: петлевое и двойное ОВФ зеркала на титанате бария : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Вахдани Могаддам Мехран, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный.Легкий В.Н. Малогабаритные генераторы накачки полупроводниковых лазеров / В. Н. Легкий, И. Д. Миценко, Б. В. Галун, 1990. - 215 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыХилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Давыдов В.Ю. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ю. Давыдов, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Лоскутов С.А. Релаксация зарядового состояния структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Лоскутов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.Г. Квантовые точки I и II типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А В : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Е. Дракин, 1996. - 23 с. - Текст : непосредственный.Дайнека Д.В. Электронные свойства границ раздела Cs/Si и Ba/Si при субмонослойных покрытиях : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Дайнека, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кулик Л.В. Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Кулик, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ву Ван Лык.Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ву Ван Лык, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽