Приложение
для AndroidПолное описание
Авруцкий, И. А. Расчет энергии связи экситона в напряженных КЯ-структурах / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугаев, Б. А. Усиевич. - М. : [б. и.], 1991. - 17 с. : ил. - (Препринт / Институт общей физики(Москва) ; 24(1991)). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(04) |
Рубрики:
Экситоны
Кл.слова (ненормированные): ЭКСИТОН
Доп. точки доступа:
Сычугаев, В.А.
Усиевич, Б.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/42285/24(1991))
Шифр в сводном ЭК: e6c8da3f1b4b2f0d3eada6c16e7f56af
Моделирование флюоресценции димеров благородных газов в импульсном самостоятельном разряде / К. С. Гочелашвили, А. В. Демьянов, И. В. Кочетов, Л. Р. Янгуразова, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Об особенностях твердорастворимого упрочнения в сплавах на основе алюминия, никеля, железа и циркония, легированных переходными металлами / В. О. Абрамов, О. В. Абрамов, А. Н. Белоконов, 1991. - 41 с. - Текст : непосредственный.Сложение мощностей генераторов ВЧ-накачки газоразрядных лазеров / А. П. Минаев, П. А. Полушин, А. Г. Самойлов, С. А. Самойлов, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Влияние процессов фотоиндуцированного поглощения в лазерных кристаллах на их термооптические свойства / С. П. Насельский, Г. А. Несененко, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков[, 1993. - 43 с. - Текст : непосредственный.Зыбин Д.Н. Исследование электрических характеристик CO -лазеров с поперечной ВЧ-накачкой / Д. Н. Зыбин, Д. Е. Проценко, Т. А. Тихомирова, 1993. - 47 с. - Текст : непосредственный.Воронков С.Н. Плазма в замедляющей структуре вакуумного сильноточного релятивистского СВЧ генератора / С. Н. Воронков, О. Т. Лоза, П. С. Стрелков, 1993. - 39 с. - Текст : непосредственный.Степанов Е.В. Управление параметрами излучения перестраиваемых диодных лазеров на основе солей свинца с двойной гетероструктурой при работе в импульсно-периодическом режиме / Е. В. Степанов, 2002. - 25 с. - Текст : непосредственный.Понуровский Я.Я. Диодная лазерная спектроскопия полосы этилена в области 960 -1030 см -1 / Я. Я. Понуровский, Е. В. Степанов, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный.Киселев В.А. Неколлинеарные дифракционные преобразования поверхностных волн в фокусирующих волноводных решетках / В. А. Киселев, С. Н. Шапошников, 1990. - 37 c. - Текст : непосредственный.Иваненков Г.В. Образование плотной плазмы при быстром электрическом взрыве металла / Г. В. Иваненков, Т. А. Новикова, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Применение тонких пленок для создания пьезоэлектрических преобразователей акустомеханических сигналов / С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, В. М. Мухортов, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Касоев С.Г. Система автоматизации лазерных спектрофотометров на основе контроллера NI 6251 USB / С. Г. Касоев, П. В. Зырянов, Е. В. Степанов, 2010. - 26 с. - Текст : непосредственный.Яковленко С.И. Основные идеи физики плазменных лазеров / С. И. Яковленко, 1998. - 20 с. - Текст : непосредственный.Неупругое туннелирование куперовских пар в с-направлении в контактах на микротрещине в Bl Sr CaCu Oз / Я. Г. Пономарев, Е. Б. Цокур, М. В. Судакова, 1999. - 19 с. - Текст : непосредственный.Relativistic and charge-displacement self channeling of intense ultra short laser pulses in plasma / K. Boer, A. B. Borisov, A. V. Borovskiy, 1991. - 53 p. - Текст : непосредственный.Арнольд Н.Д. Феноменологическое описание спиральных волн при нагреве металлов излучением / Н. Д. Арнольд, Н. А. Кириченко, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Касоев С.Г. Компьютерный комплекс для исследования пульса / С. Г. Касоев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Излучение и динамика плазмы сильноточных разрядов через полые газовые оболочки / А. Бартник, Г. В. Иваненков, Л. Карпински, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.Ликин К.М. Численные расчеты эффективности ЭЦ нагрева плазмы в стеллараторе Л-2 / К. М. Ликин, Б. Д. Очиров, 1991. - 33 с. - Текст : непосредственный.Булатова О.В. Программное обеспечение сканирования двумерных пространственных спектров в полярной системе координат / О. В. Булатова, В. В. Паненко, К. И. Воляк, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Корреляция малоуглового рассеяния света с типом ростовых микродефектов структуры в бездислокационном бестигельном кремнии / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Особенности формирования отрицательным мюоном акцепторного центра в алмазе и поведение его поляризации / А. С. Батурин, В. Н. Горелкин, Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие центра MnGaBGaA3 с электромагнитным и акустическим излучением / Н.С.Аверкиев,А.А.Гуткин,О.Г.Максимова и др., 1991. - 49 с. - Текст : непосредственный.Исследование акцепторной примеси бора в искусственном алмазе - SR-методом / Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 10 с. - Текст : непосредственный.Дзюбенко А.Б. Энергии примесно-связанных состояний двумерных магнитоплазменных и спиновых возбуждений в сильном магнитном поле / А.Б.Дзюбенко,Ю.Е.Лозовик, 1992. - 38 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Свойства уровней хрома в кремнии / А.А.Лебедев,Н.А.Султанов, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Кикоин К.А. Crystal fields and ligand fields for 3d impurities in CdTe / К. А. Кикоин, I. G. Kurek, S. V. Melnichuk, 1990. - 20 p. - Текст : непосредственный.Авруцкий И.А. Расчет энергии связи экситона в напряженных КЯ-структурах / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугаев, Б. А. Усиевич, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исследование температурной зависимости скорости релаксации акцепторного центра в кремнии -SR-методом / Т.Н.Мамедов,К.И.Грицай,А.В.Стойков и др., 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Легирование твердых растворов германий-кремний медью и определение энергии связи первого акцепторного состояния этой примеси в кристаллах / Г. Х. Аждаров, Р. З. Кязимзаде, В. В. Мир-Багиров, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Численное моделирование диффузии примесей III и Y групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т. В. Бондарева, В. И. Кольдяев, Л. Н. Александров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зависимость скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра от концентрации примеси в кремнии / Т.Н.Мамедов,Д.Г.Андрианов,Д.Герлах и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Шемелина О.С. Экспериментальное определение равновесных параметров доминирующих глубоких уровней в антимониде индия / О.С.Шемелина,Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, 1989. - 54 с. - Текст : непосредственный.Низкотемпературная фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в Ga As / А.В.Квит,С.Р.Октябрьский,Б.Г.Журкин и др., 1990. - 19 c. - Текст : непосредственный.Investigation of acceptor centers in semiconductors with diamond crystal structure by the SR-method / T.N.Mamedov,I.L.Chaplygin,V.N.Duginov и др., 1998. - 15 p. - Текст : непосредственный.Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии / Т.Н.Мамедов,Д.Г.Андрианов,Д.Герлах и др., 2001. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽