Приложение
для AndroidПолное описание
Schad, R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad. - dusseldorf : VDI Verl., 1991. - 88 S. - (Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik / Verein Dt.Ing. ; N126). - ISBN 3-18-142609-1. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.31 | 621.3.049.77-047.84:621.793 |
Рубрики:
Интегральные схемы -- Металлизация
Кл.слова (ненормированные): ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): S/378/126)
Шифр в сводном ЭК: 658885f21be87e24651daa4b0365e0b1
Munzner A. Generierung von arithmetischen Building-Blocken unter Berucksichtigung anwendungsspezifischer Randbedingungen / A.Munzner, 1991. - X,115 S. S. - Текст : непосредственный.Knospe K. Integration von Optoelektronischen Bauelementen mit CMOS-Schaltungen in Silizium / K.Knospe, 1992. - 132 S. - Текст : непосредственный.Jung N.W. Beitrage zur optoelektronischen Farbanalyse transparenter Vorlagen auf der Basis spektraler Kenngrossen : Diss. / N.W.Jung, 1991. - VIII,159 S. S. - Текст : непосредственный.Esser W. BiCMOS-Schaltungen und Systemkonzepte mit Anwendungen in der Bildsignalverarbeitung / W.Esser, 1992. - 186 S. - Текст : непосредственный.Munster I. Methodik und Verfahren zum Entwurf analoger Systemkomponenten fur kundenspezifische,integrierte Schaltungen / I.Munster, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный.Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный.Zhang C.-X. VLSI-Plazierung mit neuronalen Lernalgorithmen / C.-X.Zhang, 1992. - VII,109 S. S. - Текст : непосредственный.Wilhelm D. Integrierter Differenz-Sensor auf der Basis von pH-empfindlichen Feldeffekttransistoren mit Pseudorefenzelektroden / D.Wilhelm, 1992. - X,130 S. S. - Текст : непосредственный.Klinger M. Untersuchugen an einem Josephson-Spektrometer : Diss. / M.Klinger, 1992. - VI,119 S. S. - Текст : непосредственный.Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный.Plasberg G. Simulation von Radarzielen fur hochauflosende Radargerate : Diss. / G.Plasberg, 1991. - 82 S. - Текст : непосредственный.Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный.Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный.Zucker O. Ein integrierter Druck-/Temperatursensor in Siliziumplanartechnik : Diss. / O.Zucker, 1991. - Текст : непосредственный.Hahn H. Untersuchung und Integration von Berechnungsverfahren elementarer Funktionen auf CORDIC-Basis mit Anwendungen in der adaptiven Signalverarbeitung : Diss. / H.Hahn, 1991. - 164 S. - Текст : непосредственный.Schad R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad, 1991. - 88 S. - Текст : непосредственный.Wolters C. CMOS-Schaltnetz-Synthese mit Komplexgattern : Diss. / C.Wolters, 1991. - 118 S. - Текст : непосредственный.Fichtel J. BICMOS-Schaltungskomponenten fur die analoge Signalverarbeitung : Diss. / J.Fichtel, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный.Walther M. AlGaAs-Quantenfilmmodulatoren mit integriertem Fabry-Perot-Resonator / M.Walther, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗахаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный.Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный.Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный.Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный.Микросхемы интегральные серии КР580.. К744 / "Электростандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1993. - 224 c. - Текст : непосредственный.Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо, 2007. - 121 с. - Текст : непосредственный.Овечкин Р.М. Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них : специальность 05.12.07 "Антенны, СВЧ устройства и их технологии" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. М. Овечкин, 2004. - 16 c. - Текст : непосредственный.Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сибагатуллин А.Г. Повышение помехоустойчивости аналого-цифровых систем на кристалле средствами адаптивной коррекции сложных функциональных блоков / А. Г. Сибагатуллин, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный.Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты27th annual advanced metallization conference, Albany, NY, Oct. 5-7, 2010 / Advanced metallization conference (27; 2010; Albany, NY), 2012. - VII, 151 p. - Текст : непосредственный.Алешин А.Н. Диффузионные процессы в тонкопленочных металлических системах : Препринт / А. Н. Алешин, Б. С. Бокштейн, П. В. Куркин, 1992. - 47 с. - Текст : непосредственный.Труды научного совета / Российская академия наук, Научный совет "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания". Т. 3(5) : Материалы заседания Научного совета и научного семинара по теме: "Системы металлизации" / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 106 с. - Текст : непосредственный.Thielking D. Strukturelle Untersuchungen zur Heteroepitaxie:Wachstum ultradunner Silberschichten auf Silizium(111)-7x7-Substraten : Diss. / D.Thielking, 1993. - 120 S. - Текст : непосредственный.Schad R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad, 1991. - 88 S. - Текст : непосредственный.Павлык А.В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Павлык, 2005. - 14 c. - Текст : непосредственный.Лапин Д.Г. Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+ : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. Г. Лапин, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Holweg P.A.M. Mesoscopic phenomena in metallic point contacts : Diss. / P.A.M.Holweg, 1992. - X,141 p. p. - Текст : непосредственный.Jeugd C.A.van der Chemical vapour deposition of tungsten from WF6/SiH4 and WF6/GeH4 : Diss. / C.A.van der Jeugd, 1992. - 112 p. - Текст : непосредственный.Порошков В.П. Процессы селективного химического и электрохимического осаждения серебра на поверхность пленок диоксида титана : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. П. Порошков, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 4th European workshop on materials for advanced metallization, Stresa, Feb.28 - Mar.1 2000 / European workshop on materials for advanced metallization (4; 2000; Stresa). - VIII, 417 p. 417 p. - Текст : непосредственный.Громов Д.Г. Материалы и процессы формирования систем металлизации кремниевых интегральных схем : учеб. пособие / Д. Г. Громов, А. И. Мочалов, 2006. - 179 с. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 5th European workshop on materials for advanced metallization, Sigtuna, Mar. 5-7, 2001 / Ed.: M.Ostling, 2002. - 294 p. - Текст : непосредственный.Adams D. Silver metallization : stability and reliability / D. Adams, T. L. Alford, J. W. Mayer, 2008 r=on-line. - Текст : электронный.Лисковская Т.И. Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (i), (Ii) и получение медных пленок на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / Т. И. Лисковская, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Мозалев А.М. Исследование электрохимических и плазмохимических процессов обработки слоев алюминия,тантала и их анодных оксидов при создании планарной многоуровневой металлизации СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. М. Мозалев, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Yu X. Untersuchungen zum Einfluss von mechanischem Stress auf die Migration in Metallisierungsstrukturen integrierter Schaltungen : Diss. / X.Yu, 2000. - X, 91 S. 91 S. - Текст : непосредственный.Тимаков, Алексей Валерьевич. Физико-технологические решения создания межсоединений металлизации высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплавов вольфрама : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Тимаков Алексей Валерьевич, 2024. - 22 с. - Текст : непосредственный.Горохов, Сергей Александрович. Исследование диффузии примеси меди в барьерном слое гексагонального рутения для системы металлизации СБИС : специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Горохов Сергей Александрович, 2025. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽