Полное описание
> Monte Carlo calculation of electron transport properties of bulk AIN / J.D.Albrecht,R.P.Wang,P.P.Ruden и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1997. - 10 p. : /6/ l.ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 97/188). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.9
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09 | 621.383.002.3 | |
| 47.33.33 | 621.38.002.3 |
Рубрики:
Алюминий, нитриды
Кл.слова (ненормированные): АЛЮМИНИЙ
Доп. точки доступа:
Albrecht, J.D.
Wang, R.P.
Ruden, P.P.
Farahmand, M.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/97/188)>
Шифр в сводном ЭК: 4f2d814b5eccb62744818c71da81a28c
Albrecht J.D. Hole scattering in p-type wurtzite gallium nitride / J. D. Albrecht, P. P. Ruden, 2001. - 6 p. - Текст : непосредственный.Wu Z. Self-consistent calculation of the electronic structure and inter-wire interaction of split-gate double quantum wires / Z. Wu, R. Yang, P. P. Ruden, 1993. - 5 p. - Текст : непосредственный.Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.
Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in A1GaN/GaN hetrostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2001. - 15 p. - Текст : непосредственный.Dielectric properties of wurtzite and zincblende structure gallium nitride / R.Wang,P.P.Ruden,J.Kolnik и др., 1996. - 13 p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo calculation of electron transport properties of bulk AIN / J.D.Albrecht,R.P.Wang,P.P.Ruden и др., 1997. - 10 p. - Текст : непосредственный.Yang R. Electronic structure of wire gate quantum wire / R.Yang,P.P.Ruden, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Wang R. Electron-electron interaction induced instability in double quantum wire structures / R.Wang,P.P.Ruden, 1995. - 16 p. - Текст : непосредственный.Yang R. Independent control of electron density and spatial electron distribution of wire gate quantum wire / R.Yang,P.P.Ruden, 1995. - Var.pag. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo calculation of high- and low-field Alx Ga1-xN electron transport characteristics / J.D.Albrecht,R.Wang,P.P.Ruden и др., 1998. - 6 p. - Текст : непосредственный.High field electron transport properties of bulk ZnO / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,S.Limpijumnong и др., 1999. - 16 p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo simulation of Hall effect in n-type GaN / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,E.Bellotti,K.F.Brennan, 1998. - 6 p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Charnes J.M. Detecting bribery in Jai Alai with control charts / J. M. Charnes, H. S. Gitlow, 1993. - 11 p. - Текст : непосредственный.Podladchikov Y.Y. The role of lithospheric phase transitions for sedimentary basin formation / Y. Y. Podladchikov, A. N.B. Poliakov, D. A. Yuen, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.Martinez-Herrera J.I. Viscous sintering of spherical particles via finite element analysis / J. I. Martinez-Herrera, J. J. Derby, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.three-dimensional computation of the force and moment on an ellipsoid settling slowly through a viscoelastic fluid / J. Feng, D. D. Joseph, R. Glowinski, T. W. Pan, 1993. - 25 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Simulating the amorphization of a-quartz under pressure / N. Binggeli, J. R. Chelikowsky, R. M. Wentzcovitch, 1993. - 12 p. - Текст : непосредственный.crystal structure of the liver fatty acid biding protein.A complex with two bound oleates / J. Thompson, N. Winter, D. Terwey, J. Bratt, 1996. - 41 p. - Текст : непосредственный. Cramer C.J. Development and biological applications of quantum mechanical continuum solvation models / C. J. Cramer, D. G. Truhlar, 1994. - 46 p. - Текст : непосредственный.Cramer C.J. Problems and questions in the molecular modeling of biomolecules / C. J. Cramer, 1994. - 8 p. - Текст : непосредственный.Lyrintzis A.S. The use of a rotating Kirchhoff formulation for High-Speed Impulsive noise / A. S. Lyrintzis, Y. Xue, M. S. Kilaras, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Khankari K.K. Applicationof a numerical model for prediction in moisture migration in stored grain / K. K. Khankari, R. V. Morey, S. V. Patankar, 1993. - 19 p. - Текст : непосредственный.Sargent A.L. Electron delocalization in helical bis-quinone anion radicals / A. L. Sargent, J. Almlof, C. A. Liberko, 1994. - 19 p. - Текст : непосредственный.Kannel M.J. Finite element analysis of riveted connections : сборник научных трудов / M. J. Kannel, 1994. - 282 p. - Текст : непосредственный.Formation of the radical anion of cubene and determination of formation, heat of hydrogenation, and olefin strain energy of cubene / P. O. Staneke, S. Ingemann, P. Eaton, M. M. Nico, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Roeggen I. An accurate calculation of the three-body potential for the ground state of the helium trimer / I. Roeggen, J. Almlof, 1995. - 41 p. - Текст : непосредственный.3D simulation of flow problems with parallel finite element computations on the Cray T3D / T. Tezduyar, S. Aliabadi, M. Behr, A. Johnson, 1995. - 9 p. - Текст : непосредственный.Keller K.A. three-dimensional simulation of the Kelvin-Helmholtz instability / K. A. Keller, R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 12 p. - Текст : непосредственный.Lee D.-H. MHD waves in a three-dimensional dipolar magnetic field:a search for Pi2 pulsations / D.-H. Lee, R. L. Lysak, 1999. - 17 p. - Текст : непосредственный.Lysak R.L. role of Alfven waves in the formation of Auroral parallel electric fields / R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 19 p. - Текст : непосредственный. Charnes J.M. Vector-autoregressive inference for equally spaced,time-averaged,multiple queue length processes / J. M. Charnes, E. I. Chen, 1994. - 7 p. - Текст : непосредственный.Dai W. Interactions between magnetohydrodynamical discontinuities / W. Dai, P. R. Woodward, 1994. - 26 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАзаматов З.Т. Дефекты в материалах квантовой электроники / З. Т. Азаматов, З. Т. Азаматов, П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров ; Ред. М. Т. Шпак, 1991. - 259 c. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Журавлева Л.В. Электроматериаловедение : учебное пособие / Л. В. Журавлева, 2008. - 351 с. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Hennemann O.-D. Handbuch Fertigungstechnologie Kleben : монография / O.-D. Hennemann, W. Brockmann, H. Kollek, 1992. - XIII,768 S. S. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Силкин Н.И. Оптическая и ЭПР-спектроскопия материалов квантовой электроники и нелинейной оптики на основе кристаллов фторидов, семейств дигидрофосфата и сульфата калия : специальность 01.04.05 "Оптика", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н. И. Силкин, 2009. - 40 с. - Текст : непосредственный.Протасова Л.Г. Физико-химические основы формирования структуры и свойств стекол Se Sy, Se S Me и Se S Me (Me=As, Sb, Ge) для оптоэлектроники : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. Г. Протасова, 2002. - 42 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Смоликов А.А. Наноматериалы : разговорник / А. А. Смоликов, 2006. - 83 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 126 : Physics of laser crystals : Proc. of the NATO advanced research workshop on physics of laser crystals, Kharkiv-Stary Saltov, Ukraine, 26 Aug. - 2 Sept., 2002 / NATO advanced research workshop on physics of laser crystals (2002; Kharkiv), 2003. - XIV,255 p. p. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыMonte Carlo calculation of electron transport properties of bulk AIN / J.D.Albrecht,R.P.Wang,P.P.Ruden и др., 1997. - 10 p. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Janik J.F. Charakterystyka reakcji i procesow wytwarzania specyficznych form materialowych azotku glinu-AIN oraz azotku boru-BN z prekursorow chemicznych / J.F.Janik, 1994. - 117 s. - Текст : непосредственный.
Петров М.П. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике / М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко, 1992. - 317 с. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Протасова Л.Г. Физико-химические основы формирования структуры и свойств стекол Se Sy, Se S Me и Se S Me (Me=As, Sb, Ge) для оптоэлектроники : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. Г. Протасова, 2002. - 42 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Антонов В.А. Новые материалы для электроники и энергетики на основе соединений двойных и тройных оксидных систем : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / В. А. Антонов, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Wide band gap electronic materials : материалы временных коллективов / Ed. M. A. Prelas, 1995. - XIV,531 p. p. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Мельник Ю.В. Разработка и исследование оптимальных режимов монокристаллического роста нитрида алюминия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. В. Мельник, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Технология производства материалов магнитоэлектроники / Л. М. Летюк, А. М. Балбашов, Д. Г. Крутогин, 1994. - 415 c. - Текст : непосредственный.Материалы и элементы электронной техники и электротехники : сборник / Ред. В. А. Филиков, 1989. - 107,5 с. с. - Текст : непосредственный.Васильева Н.В. Влияние примесных ионов на оптическое поглощение и люминесценцию монокристаллических пленок галлиевых гранатов, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. В. Васильева, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жуков С.С. Электронное строение и энергетический спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Жуков, 2004. - 18 c. - Текст : непосредственный.Селюженок Н.А. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Селюженок, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный.Четверикова И.Ф. Катодолюминесценция нитрида галлия, полученного методом гидридно-хлоридной гетероэпитаксии на сапфире : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени епгд. физ.-мат. наук / И. Ф. Четверикова, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Будагян Б.Г. Материалы твердотельной электроники / Б. Г. Будагян, А. А. Шерченков, 1999. - 118 с. - Текст : непосредственный.Каменев Б.В. Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Б. В. Каменев, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Preferred type range catalogue 1989 : сборник научных трудов, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Murarka S.P. Electronic materials : сборник научных трудов / S. P. Murarka, M. C. Peckerar, 1989. - XV, 622 p. 622 p. - Текст : непосредственный.Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение : материалы временных коллективов / Правительство Республики Мордовия, 2005. - 216 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽