ГПНТБ России - Полное описание

Государственная публичная
научно-техническая библиотека России

Основана в 1958 году

Полное описание

Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк. - Минск, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Белорус.гос.ун-т. Библиогр.:с. 15-16(17 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323.001.57(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР96-2679)

Шифр в сводном ЭК: 03df406c9eeedae849eb6e2bd83d1ff2

Мячикова И.И. Основы современного естествознания : учебное пособие / И. И. Мячикова, О. Г. Жевняк, 2018. - 211 с. - Текст : непосредственный.Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный.

Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный.

Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Леженин В.П. Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. П. Леженин, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный.Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный.Budde W. Modellierung des dynamischen Verhaltens von Kurzkanal-MOS_-FETs : Diss. / W.Budde, 1991. - 152 S. - Текст : непосредственный.Люмаров П.П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук: 05.27.01 / П. П. Люмаров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тихомиров П.А. Исследование и развитие технологически ориентированных методов моделирования МОП-транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / П. А. Тихомиров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов М.Г. Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / М. Г. Кузнецов, 1994. - 26 с. - Текст : непосредственный.Будник А.В. физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Будник, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный.Борздов В.М. Моделирование влияния внешних и технологических факторов на электрофизические свойства твердотельных слоистых структур интегральной электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07, 05.27.01 / В. М. Борздов, 1999. - 44 с. - Текст : непосредственный.Хренов Г.Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный.Меньшиков П.А. Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / П. А. Меньшиков, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сидоров А.А. Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов методом Монте-Карло с учетом квантовых эффектов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сидоров, 2004. - 20 c. - Текст : непосредственный.Weber S. Modellierung sperrschichtisolierter diskreter Feldeffekttransistoren zur Schaltungssimulation mit Berucksichtigung der Hochfrequenz-, Temperatur- und Grosssignaleigenschaften : Diss. / S.Weber, 1994. - 150 p. - Текст : непосредственный.Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.

Жевняк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк, 1996. - 18 с. - Текст : непосредственный.

Заказ фрагмента документа ₽