Полное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Основы радиоэлектроники и связи. Ч. 6 : Электронные технологии в производстве РЭА : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Иванов [и др.] ; под ред. А. С. Сигова, 2012. - 321 с. - Текст : непосредственный.Основы радиоэлектроники и связи. Ч. 7 : Технологии интегральных схем радиоэлектроники : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Иванов [и др.] ; под ред. Ю. В. Гуляева, 2013. - 460 с. - Текст : непосредственный.Басова Т.Ф. Основы экономики и управления / Т. Ф. Басова, В. И. Иванов, Н. Н. Кожевников, 2004. - 271 с. - Текст : непосредственный.Белоусова Л.Ю. Опасные для авиации метеорологические условия и явления погоды / Л. Ю. Белоусова, С. В. Дробышевский, В. И. Иванов, 1993. - 53 c. - Текст : непосредственный.Термостимулированная ЭДС в легированных кристаллах ниобата с электродами из различных металлов / Г. Г. Здоровцев, В. И. Иванов, Ю. М. Карпец, С. В. Климентьев, 2000. - 26 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Разработка параметрических рядов машин для формирования комплексных трубопроводостроительных потоков : специальность 05.15.13 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / В. И. Иванов, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Малыхин Л.И. Математические основы оценивания комплексов инерциальных измерителей / Л. И. Малыхин, В. И. Иванов, 2003. - 86 с. - Текст : непосредственный.Электротехника и электроника : учеб. пособие для студентов вузов : в 2-х кн. / Курский гос.технический ун-т. Кн. 1 : Электротехника / М. В. Бобырь [и др.], 2009. - 153 с. - Текст : непосредственный.Фаткулин А.А. Подземная разработка рудных месторождений / А. А. Фаткулин, В. И. Иванов, 2008. - 89 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы / В. И. Иванов, А. И. Аксенов, А. М. Юшин, 1984. - 185 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Нетермические электронно-лучевые технологические методы / В. И. Иванов, 1994. - 79 c. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Цифровые и аналоговые системы передачи / В. И. Иванов, В. И. Иванов, В. Н. Гордиенко, Г. Н. Попов, 1995. - 232 c. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Охрана окружающей среды / В. И. Иванов, В. Л. Андреев, 1991. - 63 с. - Текст : непосредственный.Электроискровые технологии восстановления и упрочнения деталей машин и инструментов : монография / Ф. Х. Бурумкулов, П. П. Лезин, П. В. Сенин, В. И. Иванов, 2003. - 501 с. - Текст : непосредственный.Библиотека актуальной философии / Краснояр. гос. мед. ун-т им. В. Ф. Войно-Ясенецкого. Вып. 15 : Финансовая онтология современности / В. Ю. Колмаков [и др.] ; отв. ред. В. Ю. Колмаков, 2016. - 183 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный.Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный.Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN пленках / О. В. Окунев, Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев [и др.], 2014. - 127 с. - Текст : непосредственный.Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный.Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный.Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный.Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный.Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный.Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный.Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный.Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный.Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный.Infrared optical materials and fibers V : материалы временных коллективов / Ed. P. Klocek, 1988. - VI,162 p. p. - Текст : непосредственный.Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный.Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный.Optical,infrared,and millimeter wave propagation engineering : материалы временных коллективов / Ed.: W. B. Miller, N. S. Kopeika, 1988. - VI,385 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽