Приложение
для AndroidПолное описание
Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher ; ed. D. J. Fisher. - Durnten-Zurich : Trans tech publ., 2012. - on-line. - (Defect and diffusion forum ; vol. 332). - URL: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.332. - Загл. с экрана. - ISBN 978-3-03813-986-7. - Текст : электронный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(063) | |
| 537.311.322:539.219.3(063) |
Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ -- ДИФФУЗИЯ -- КОНФЕРЕНЦИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Доп. точки доступа:
Fisher, D. J.\ed.\
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.332
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): ?-968515466)
Шифр в сводном ЭК: 573e8dd9bbfe5b4f62d486dfdb27fd68
Diffusion and defect forum. Vol. 278 : Defects and diffusion in metals - An annual retrospective X - / ed. D. J. Fisher, 2008. - VI, 278 p. - Текст : непосредственный.Diffusion and defect forum. Vol. 280-281 : Defects and diffusion in ceramics - An annual retrospective X - / ed. D. J. Fisher, 2008. - VI, 398 p. - Текст : непосредственный.Key engineering materials. N 42/43 : Mechanical properties research 89 / D.J.Fisher, 1990. - 270 p. - Текст : непосредственный.Defects and diffusion theory and simulation III : an annu. retrospective: vol. 3 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Dislocation reactions and stacking-fault energies / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in ceramics XIII : vol. 13 / ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Diffusion and defect forum. Vol. 282 : Defects and diffusion in semiconductors - An annual retrospective XI - / ed. D. J. Fisher, 2008. - VIII, 176 p. - Текст : непосредственный.Diffusion and defect forum. Vol. 287-288 : Surface reconstructions / ed. D. J. Fisher, 2009. - VIII, 370 p. - Текст : непосредственный.Diffusion and defect forum. Vol. 272 : Defects and diffusion in semiconductors - An annual retrospective X - / ed. D. J. Fisher, 2007. - VI, 305 p. - Текст : непосредственный.Mechanical properties research 1991 / ed. D. J. Fisher, 1991. - 413 p. - Текст : непосредственный.Materials research foundations. Vol. 48 : Topological semimetals / David J. Fisher, 2019. - [6], 156 p. - Текст : электронный.Fisher D.J. Additive manufacturing of metals / David J. Fisher., 2020. - 2 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный.Fisher D.J. Liquid Metal Alloys in Electronics / David J. Fisher., [2020]. - 2 с. - Текст : электронный.Fisher D.J. Non-electrolytic water splitting / D. J. Fisher, [2020]. - 914 с. - Текст : электронный.Fisher D.J. A Compendium of Deformation-Mechanism Maps for Metals / D. J. Fisher, 2022. - 1 p). (Введено оглавление). - Текст : электронный.Fisher D.J. Recycling of rare earths / David J. Fisher., 2022. - 1 с. - Текст : электронный.Fisher D.J. Graphene Composite Supercapacitor Electrodes / D. J. Fisher, 2022. - 1 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный.Fisher D.J. Metallurgy of Lightweighting / D. J. Fisher, 2022. - 1 p). (Введено оглавление). - Текст : электронный.
Defects and diffusion theory and simulation III : an annu. retrospective: vol. 3 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Recent advances in mass transport in materials / Ed. A. Ochsner, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Diffusion in materials - DIMAT 2011 : the 8th intern. conf.-DIMAT-2011, was held 3-8 Jul., 2011, Dijon (France) / International conference on diffusion in materials (8; 2011; Dijon), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Diffusion in solids and liquids VII : DSL-2011 conf. held at the Hilton Vilamoura Algarve, Portugal, 26-30 Jun., 2011 / International conference on diffusion in solids and liquids (7; 2011; Vilamoura Algarve), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Dislocation reactions and stacking-fault energies / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in ceramics XIII : vol. 13 / ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Near-surface depth profiling of solids by mono-energetic positrons / Ed. B. N. Ganguly, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыShallow impurities in semiconductors : материалы временных коллективов / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Beam injection assessment of defects in semiconductors : материалы временных коллективов, 1989. - XIV,Pag.var. - Текст : непосредственный.Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : сборник научных трудов / Ed. S. G. Roberts, 1989. - XII, 470 p. 470 p. - Текст : непосредственный.
Polycrystalline semiconductors : grain boundaries and interfaces:Proc.of the intern.symp.,Malente Aug.29-Sept.2,1988 / Ed. H. J. Moller, 1989. - XI,394 p. p. - Текст : непосредственный.Defect recognition in semiconductors before and after processing : Proc.ofthe 4th intern.conf.,18-22 March 1991,Wilmslow / Ed.: M. R. Brosel, D. J. Stirland, 1992. - 310 p. - Текст : непосредственный.Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer rev. papers from the 14th intern. conf. on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (DRIP-14), Sept. 25-29, 2011, Miyazaki, Jap. / International conference on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (14; 2011; Miyazaki), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Point and extended defects in semiconductors : Proc.of the NATO advaced research second workshop on Point, Extended and surface defects in semiconductors, held Nov.2-7, 1988, Erice / Ed. G. Benedek, 1989. - X,287 p. p. - Текст : непосредственный.Свойства и структура дислокаций в полупроводниках : V Международная конференцияСб. докл., Москва, СССР, 17-22 марта 1986 г. / Институт физики твердого тела (Москва), 1989. - 216 с. - Текст : непосредственный.Early stages of oxygen precipitation in silicon : Proc.of the NATO Advanced research workshop on early stages of oxygen precipitation in silicon,Exeter,U.K.,March 26-29,1996 / Ed. R. Jones, 1996. - XVIII,530 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания