Приложение
для AndroidПолное описание
Гусев, Е. Ю. Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ю. Гусев. - 2009. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-19 (24 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.382-047.84(043) |
Аннотация: Разработан технологический процесс электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC, обеспечивающий шероховатость поверхности менее 0,3 нм и отсутствие нарушенного слоя.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-4336)
Шифр в сводном ЭК: 98486f2dd1262c811416642327f29a5d
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНомоконова Н.Н. Система контроля и анализа технических свойств интегральных элементов и устройств вычислительной техники по многоуровневой модели информативных параметров : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Н. Н. Номоконова, 2010. - 40 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.А. Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках / А. А. Кравченко, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Гусев Е.Ю. Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ю. Гусев, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Хлызов В.А. Разработка системы управления и автоматизация технологического процесса лазерного управляемого термораскалывания на промышленных установках : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.14 / В. А. Хлызов, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шатунов В.В. Синтез и очистка GaEt3 и [SiH2]5-прекурсоров для создания полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.08 / В. В. Шатунов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Васев А.В. Реконструкция поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоев при МЛЭ и вакуумном отжиге : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Васев, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Никулин Ю.В. Модификация структурных и магнитных свойств тонких пленок ферромагнитных металлов, наносимых на аморфные и монокристаллические подложки для приборов магнитоэлектроники : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 01.04.04, 05.27.01 / Ю. В. Никулин, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шумилов А.С. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в Bosch-процессе : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук: 05.27.01 / А. С. Шумилов, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.Овчинников В.А. Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / В. А. Овчинников, 2009. - 30 с. - Текст : непосредственный.Зарубина О.Н. Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / О. Н. Зарубина, 2013. - 21 с. - Текст : непосредственный.Заиченко, Александр Николаевич. Физико-технологические основы термомиграционного легирования микрообластей в объеме кремния акцепторными примесями : специальность 2.2.3 - Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Заиченко Александр Николаевич, 2023. - 23 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽