Полное описание
Герасименко, Н. Н.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:535(04) 537.311.322:537(04)
Рубрики: Полупроводники -- Оптические свойства
Полупроводники -- Электрические свойства
Доп. точки доступа: Грищенко, И.В.
Сафронов, Л.Н.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/19085/5(1990))
Шифр в сводном ЭК: 3d70a9885e5f09e17c2be8f65c38d00b
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Герасименко, Н. Н. Мир материалов и технологий. 6.12 : Кремний - материал наноэлектроники, 2007. - 351 с. - Текст : непосредственный. Герасименко Н.Н. Пакет программ для оценок оптических и электрофизических параметров Cd Hg Te (0.19 х 0.4) / Н. Н. Герасименко, И. В. Грищенко, Л. Н. Сафронов, 1990. - 75 с. - Текст : непосредственный. Грищенко И.В. Опасные явления погоды в условиях изменения климата на территории Архангельской области и Ненецкого автономного округа : автореф. дис. .. канд. геогр. наук: 25.00.30 / И. В. Грищенко, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный. Сафронов Л.Н. Диффузионно-контролируемая кластеризация полупроводниковых соединений типа А1-хВхС. Моделирование методом Монте-Карло / Л.Н.Сафронов, 1990. - 43 с. - Текст : непосредственный. Грищенко И.В. Опасные явления погоды как фактор природных рисков на территории Архангельской области / И.В. Грищенко. - Текст : непосредственный // Географический вестник. - Пермь. - 2009. - № 1. - с. 17-19 Сафронов Л.Н. Диффузия кластеризующихся примесей в кристаллах (кислород в кремнии) / Л.Н.Сафронов, 1993. - 30 с. - Текст : непосредственный. Применение методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Н.Н.Герасименко,А.А.Гузев,Г.Л.Курышев и др., 1991. - 39 c. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1545) : Применение методов ионной имплантации для создания фоточувствительных p-n переходов на антимониде индия : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1970-1989 гг. / Н.Н.Герасименко,В.И.Ободников,Г.С.Хрящев, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный. Аналитическая система CompleXRay для рентгеновской диагностики наноструктур / А. Г. Турьянский, В. И. Анисимов, Н. Д. Бейлин [и др.]. - Текст : непосредственный // Нанотехнологии - производству 2012 : тр. VIII науч.-практ. конф., 4-6 апр. 2012 г., Фрязино. - М. - 2012. - с. 266-276 Радиационные методы в нанотехнологиях // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. - Курск. - 2011. - с. 88-109 Радиационные методы в нанотехнологиях / Н. Н. Герасименко, Б. Н. Рыгалин, Д. И. Смирнов, Н. А. Медетов. - Текст : непосредственный // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. - Курск. - 2011. - с. 88-109 Грищенко И.В. Тенденции промерзания почвы на территории Архангельской области в условиях изменения климата / И. В. Грищенко. - Текст : непосредственный // Гидрометеорологические исследования и прогнозы. - Москва : Гидрометцентр России, 2025. - № 4. - с. 172-178 Грищенко И.В. Характеристика ледовых процессов в устье p. Северной Двины и тенденции их развития в условиях изменения климата / И. В. Грищенко // Вестник Северного (Арктического) федерального университета. - Архангельск : САФУ им. М. В. Ломоносова, 2016. - с. 5-11 Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный. Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный. Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный. Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный. Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный. Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный. Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный. Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный. Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный. Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный. Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный. Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный. Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный. Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный. Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный. Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный. Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Карпушко Ф.В. Внутризонный электрооптический эффект в полупроводниках p-типа / Ф. В. Карпушко, В. Л. Малевич, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Грибковский В.П. Очерк научной деятельности лаборатории оптики полупроводников за 25 лет (1971-1996) / В. П. Грибковский, 1997. - 37 с. - Текст : непосредственный. Тензоэффект GaSb и JnSb и эвтектиках на их основе / М. И. Алиев, З. А. Джафаров, А. А. Халилова, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный. Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гашимзаде Ф.М. Резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике / Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Пакет программного обеспечения для автоматизации электрофизических исследований полупроводников / В. С. Лысенко, Г. А. Наумовец, В. Б. Попов, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Зайцев Б.А. Комплекс программ-интерпретаторов температурных зависимостей эффекта Холла и электропроводности в системах со слоистыми неоднородностями / Б. А. Зайцев, А. А. Таскин, Е. Г. Тишковский, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Фотоэлектрические и диэлектрические свойства кристаллов TlInS - и -TlInS / С.Н.Алиев,О.З.Алекперов,А.И.Наджафов и др., 1990. - 38 с. - Текст : непосредственный. Алиева М.Х. Фотоэлектрические и оптические свойства TlJnSe2, TlJnS2, TlGaSe2, TlGaS2 и твердых растворов на их основе : Препринт / М. Х. Алиева, С. Х. Агаева, Т. И. Алиев, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Оптические функции и константы селенида галлия / Т.Р.Мехтиев,А.М.Алиев,В.С.Рыпневский,В.П.Радионов, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
