Полное описание
Красильникова, Л. В.
ГРНТИ УДК 47.33 621.315.592.9:535.37(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар07-14462)
Шифр в сводном ЭК: df9c9c7b30565b07bf3cae5f994fe23a
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Корбутяк Д.В. Люминесцентные свойства поверхности и границ раздела полупроводниковых слоистых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. В. Корбутяк, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный. Костишко Б.М. Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Костишко, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Косташко Б.М. Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Косташко, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Кудряшов И.В. Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / И. В. Кудряшов, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин П.С. Люминесценция индивидуальных квантовых точек в полумагнитных полупроводниках: полярный эффект и флуктуации намагниченности : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. С. Дорожкин, 2004. - 18 c. - Текст : непосредственный. Красильникова Л.В. Люминесцентные свойства гетероструктур Si/Si/Ge, легированных примесью эрбия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Л. В. Красильникова, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный. Apetz R. Untersuchung der Elektrolumineszenz von SiGe/Si Heterostrukturen : Diss. / R.Apetz, 1995. - VII,159 S. S. - Текст : непосредственный. Трушин А.С. Фотолюминесценция иттербия в полупроводниковых структурах и наноструктурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / А.С. Трушин, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный. Куренкеев Б.Т. Фотолюминесценция легированных кристаллов антимонида индия и двойных гетероструктур CaSb-InAs-GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. Т. Куренкеев, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный. Калугин Н.Г. Исследование спектров экситонной люминесценции гетероструктур Ge/Ge Si со слоями нанометровой толщины : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01, 01.04.07 / Н. Г. Калугин, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Горн Д.И. Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. И. Горн, 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный. Сапега В.Ф. Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Ф. Сапега, 1998. - 38 с. - Текст : непосредственный. Гусев О.Б. Фото- и электролюминесценция эрбия в полупроводниковых матрицах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / О. Б. Гусев, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный. Емельяненко Ю.С. Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:05.27.01 / Ю. С. Емельяненко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
