Полное описание
Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Харьков : ИСМА, 2010. - 531 с. : ил. - (Состояние и перспективы развития функциональных материалов для науки и техники). - Библиогр. в конце гл. - 300 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 61.31.47 661.665.1
Рубрики: Кремний, карбиды
Доп. точки доступа: Агеева, О.А.
Беляев, А.Е.
Болтовец, Н.С.
Киселев, В.С.
Конакова, Р.В.
Национальная академия наук Украины (Киев). Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/22419)
Шифр в сводном ЭК: cd34b0ba2699dd23852d5560ebb3a85e
Агеева О.А. Туристские фирмы и гостиницы: бухучет и налогообложение : методический материал / О. А. Агеева, 2000. - 183 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Киселев В.С. Лаки и олифы : материал технической информации / В. С. Киселев, 1931. - 50, [2] с. - Текст : непосредственный. Агеева О.А. Методология обеспечения единства бухгалтерского учета и отчетности : автореф. дис. .. д-ра экон. наук: 08.00.12 / О. А. Агеева, 2008. - 41 с. - Текст : непосредственный. Беляев А.Е. Механические роликовые передачи / А.Е.Беляев, 1994. - 120 с. - Текст : непосредственный. Агеева О.А. Бухгалтерский учет и анализ : учебник для бакалавров / О. А. Агеева, Л. С. Шахматова, 2014. - 589 с. - Текст : непосредственный. Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с. - Текст : непосредственный. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с. - Текст : непосредственный. Киселев В.С. Повышение износостойкости наплавленных покрытий путем выбора рациональных технологических параметров на основе диагностики сверхзвуковых газопорошковых струй : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.03.06 / В. С. Киселев, 2009. - 21 с. - Текст : непосредственный. Киселев В.С. Производство мазей для обуви, ваксы и аппертур / В. С. Киселев, 1922. - 35 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с. - Текст : непосредственный. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с. - Текст : непосредственный. Материалы для нанофотоники: формирование и свойства наночастиц и наноструктур / А. Н. Грузинцев [и др.], 2010. - 397 с. - Текст : непосредственный. Болотин Ю.Л. Конструктивный хаос / Ю. Л. Болотин, А. В. Тур, В. В. Яновский, 2005. - 419 с. - Текст : непосредственный. Жмурин П. Н. Спектроскопия редкоземельных ионов в объемных и наноразмерных кристаллах / П. Н. Жмурин, Ю. В. Малюкин, 2007. - 338 с. - Текст : непосредственный. Бланк А.Б. Аналитическая химия в исследовании и производстве неорганических функциональных материалов / А.Б.Бланк, 2005. - 348 с. - Текст : непосредственный. Семиноженко В.П. Диссипативные состояния и нелинейные эффекты в неоднородных сверхпроводниках / В. П. Семиноженко, В. Ф. Хирный, 2006. - 388 с. - Текст : непосредственный. Диэлектрики и полупроводники в детекторах излучения / Институт монокристаллов, 2006. - 357 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 42, 2007. - 127 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 41, 2006. - 139 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с. - Текст : непосредственный. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 44, 2009. - 118 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 45, 2010. - 144 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 46, 2011. - 141 с. - Текст : непосредственный. Подготовка шихтовых материалов для электротермического производства кремния / С. Б. Леонов, Б. И. Зельберг, М. П. Авдеев, Н. Б. Леонов, 1991. - 153 c. - Текст : непосредственный. Кутчиев А.И. Синтез и квантово-химическое исследование ванадийоксидных структур на поверхности кремнезема и их взаимодействия с парами VOCI3 и H2O : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела", 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. И. Кутчиев, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный. Камашев Д.В. Влияние условий синтеза на морфологию и свойства надмолекулярных структур кремнезема / Д. В. Камашев, 2007. - 125 с. - Текст : непосредственный. Получение кремния из отходов фосфатного производства (Na2SiF6)газофазным методом с использованием натриевого стенда / Е. А. Орлова, Ф. А. Козлов, В. В. Алексеев [и др.], 2009. - 35 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Извлечение коллоидного кремнезема из гидротермальных растворов мембранными методами / В. В. Потапов, В. Н. Зеленков, В. А. Горбач [и др.], 2006. - 226 с. - Текст : непосредственный. Тарала В.А. Физические принципы осаждения из газовой фазы аморфных, нанокристаллических и микрокристаллических пленок алмазоподобного углерода и карбида кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. А. Тарала, 2013. - 39 с. - Текст : непосредственный. Рябков Ю.И. Карботермические процессы с участием оксидов алюминия, титана и кремния: закономерности и моделирование : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Ю. И. Рябков, 2008. - 43 с. - Текст : непосредственный. Amorphous and crystalline silicon carbide III and other group IV-IV materials : материалы временных коллективов / Ed. G. L. Harris, 1992. - 372 p. - Текст : непосредственный. Труды Государственного экспериментального института силикатов. Вып. 9 : Обзор работ по кремневым соединениям за 1912 и 1913 годы / проф. И. Ф. Пономарев, 1924. - 91, [1] с. - Текст : непосредственный. Корчагин А.И. Электронно-лучевая технология получения нанодисперсных порошков диоксида кремния при атмосферном давлении : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. И. Корчагин, 2003. - 17 с. - Текст : непосредственный. Скрябин А.С. Плазмохимический метод прямого получения поликристаллического кремния из его оксидов / А. С. Скрябин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Грибанов С.А. Фрактальная структура и некоторые физические свойства карбидсодержащих катодных депозитов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. А. Грибанов, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Гапеев А.А. Равновесие и динамика ионообменной и молекулярной сорбции на аминофосфоновом полиамфолите / А. А. Гапеев, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный. Трофимова Е.Ю. Синтез и свойства монодисперсных наноструктурированных сферических частиц кремнезема и функциональных материалов на их основе / Е. Ю. Трофимова, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный. Руднева В.В. Совершенствование плазмометаллургической технологии производства нанопорошков карбида кремния : специальность 05.16.06 "Порошковая металлургия и композиционные материалы" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. В. Руднева, 2009. - 42 с. - Текст : непосредственный. Бельский С.С. Совершенствование процессов рафинирования при карботермическом получении кремния высокой чистоты / С. С. Бельский, 2009. - 16 с. - Текст : непосредственный. Gall S. Die elektrische Leitfahigkeit von Schichtsilikaten bei ihrer thermischen Dehydratation / S. Gall, 1993. - 88 S. - Текст : непосредственный. Белоконева Е.Л. Строение, химическая связь и структурная обусловленность свойств силикатов, германатов и родственных им соединений : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук / Е. Л. Белоконева, 1994. - 49 с. - Текст : непосредственный. Немчинова Н.В. Кислотно-ультразвуковое рафинирование кремния : монография / Н. В. Немчинова, А. А. Тютрин, 2017. - 160 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Решение уравнений стохастического аналога неравновесной стадии фазового перехода и пористость карбида кремния / Т. А. Аверина, Г. И. Змиевская, А. Л. Бондарева, С. А. Хилков, 2016. - 37 с. - Текст : непосредственный. Гаршин А.П. Карбид кремния. Монокристаллы, порошки и изделия на их основе / А. П. Гаршин, 2006. - 124 с. - Текст : непосредственный. Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с. - Текст : непосредственный. Kienzle A. Darstellung und Verarbeitung borhaltiger elementorganischer Vorstufen zur Herstellung keramischer Materialien in den Systemen SiCB und SiCBN : Diss / A.Kienzle, 1994. - 180 S. - Текст : непосредственный. Wiesel M. Fugeverfahren an SiSiC-Bauteilen fur Hochtemperaturanwendungen : Diss. / M.Wiesel, 1990. - 249 S. - Текст : непосредственный. Seher M. Darstellung siliciumkeramischer Materialien durch Pyrolyse von Polysilazanen : Diss. / M.Seher, 1993. - 151 S. - Текст : непосредственный. Futuretech : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. 52(1988) : Silicon carbide semiconductors, 1988. - 14 p. - Текст : непосредственный. Сафаралиев Г.К. Твердые растворы на основе карбида кремния / Г. К. Сафаралиев, 2011. - 295 с. - Текст : электронный. Змиевская Г.И. Флуктуации заряда на каплях расплава карбида кремния в процессе конденсации / Г. И. Змиевская, Т. А. Аверина, 2018. - 21 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов, Олег Андреевич. Свойства и применение полупроводникового соединения - карбид кремния : (обзор зарубежной техники) / О. А. Кузнецов, С. А. Калекин, 1962. - 32, [1] с. - Текст : непосредственный. Тарала В.А. Физические принципы осаждения из газовой фазы аморфных, нанокристаллических и микрокристаллических пленок алмазоподобного углерода и карбида кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. А. Тарала, 2013. - 39 с. - Текст : непосредственный. Amorphous and crystalline silicon carbide III and other group IV-IV materials : материалы временных коллективов / Ed. G. L. Harris, 1992. - 372 p. - Текст : непосредственный. Руднева В.В. Совершенствование плазмометаллургической технологии производства нанопорошков карбида кремния : специальность 05.16.06 "Порошковая металлургия и композиционные материалы" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. В. Руднева, 2009. - 42 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Аникин А.Е. Применение буроугольного полукокса в процессах металлизации и карбидизации техногенного металлургического сырья : монография / А. Е. Аникин, Г. В. Галевский, 2017. - 155 с. - Текст : непосредственный. Amorphous and crystalline silicon carbide and related materials : Proc.of the 1st Intern.conf.,Washington(DC),Dec.10-11,1987 / Ed. G. L. Harris, 1989. - IX,199 p. p. - Текст : непосредственный. Amorphous and crystalline silicon carbide II : Recent developments:Proc.of the 2nd Intern.conf.,Santa Clara(Ca),Dec.15-16,1988 / Ed. M. M. Rahman, 1989. - X,232 p. p. - Текст : непосредственный. Amorphous and crystalline silicon carbide IV : Proc.of the 4th Intern.conf.,Santa Clara(Ca),Oct.9-11,1991 / Ed. C. Y. Yang, 1992. - 432 p. - Текст : непосредственный. Гаршин А.П. Карбид кремния. Монокристаллы, порошки и изделия на их основе / А. П. Гаршин, 2006. - 124 с. - Текст : непосредственный. Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.]; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с. - Текст : непосредственный. Беленков Е.А. Формирование кристаллической структуры углеродных и карбидкремниевых материалов : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Е. А. Беленков, 2002. - 43 с. - Текст : непосредственный. Аникин А.Е. Разработка научных и технологических основ применения буроугольного полукокса в процессах металлизации и карбидизации техногенного металлургического сырья : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.02 / А. Е. Аникин, 2015. - 20 с. - Текст : непосредственный. Титова Ю.В. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез микро- и нанопорошков нитрида алюминия и карбида кремния с применением азида натрия и галоидных солей : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.17 / Ю. В. Титова, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный. Батов Д.В. Разработка рециркуляционной технологии получения микрокристаллического карбида кремния химическим осаждением из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.16.03 / Д. В. Батов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный. Полях О.А. Плазмометаллургическое производство карбида кремния для композиционного никелирования и хромирования / О. А. Полях, В. В. Руднева, 2006. - 187 с. - Текст : непосредственный. Salehomoum F. Kinetik der SiC-Abscheidung aus der Gasphase bei 750 bis 900o C und 1 bar Gesamtdruck : Diss. / F.Salehomoum, 1991. - 85 S. - Текст : непосредственный. Silicon carbide and related materials 2011 : sel., peer rev. papers from the 14th intern. conf. on silicon carbide and related materials 2011 (ICSCRM 2011), Sept. 11-16, 2011, Cleveland, Oh, USA: in 2 vol. / International conference on silicon carbide and related materials 2011 (14; 2011; Cleveland, Oh), 2012 r=on-line. - Текст : электронный. Никитин Д.С. Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния : 05.09.02 - Электротехнические материалы и изделия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. С. Никитин, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
