Приложение
для AndroidПолное описание
Авдеев, С. П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев. - Таганрог, 1997. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Таганрог.гос.радиотехн.ун-т. Библиогр.:с. 20-22(12 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.385.831.032.9(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР97-1521)
Шифр в сводном ЭК: 33be654b4064a21feff6d2f49f4ed522
Установка для исследования ядерной мультифрагментации ФАЗА / С. П. Авдеев, А. С. Зубкевич, В. А. Карнаухов, 1995. - 14 c. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Экспериментальное исследование мультифрагментации ядер с помощью 4 -установки "Фаза" : специальность 01.04.16 "Физика атомного ядра и элементарных частиц" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / С. П. Авдеев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ядерная мультифрагментация под действием релятивистских легких ионов. Проект ФАЗА-2 / В.А.Карнаухов,С.П.Авдеев,В.Д.Кузнецов и др., 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Дискретный сцинтилляционный монитор для пучков релятивистских ядер / С.П.Авдеев,В.А.Карнаухов,В.Д.Кузнецов,Л.А.Петров, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Экспериментальное исследование пространственно-временных характеристик и динамических эффектов в процессе ядерной мультифрагментации на пучках релятивистских легких ионов : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.16 / С. П. Авдеев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Анализ и синтез оптико-электронных приборов / С.П.Авдеев, 2000. - 680 с. - Текст : непосредственный.Нанотехнологии в микроэлектронике / С. П. Авдеев, В. И. Авилов, В. О. Агеев [и др.]; под редакцией О. А. Агеева, Б. Г. Коноплёва, 2019. - 511 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Оптико-электронные приборы с ЭОП : Учеб. пособие / С.П.Авдеев, 1991. - 66 c. - Текст : непосредственный.Пленочные сцинтилляторы CsJ(TI) большой площади / С.П.Авдеев,В.А.Карнаухов,В.Карч и др., 1992. - 6 с. - Текст : непосредственный.Измерение толщин тонкослойных сцинтилляторов CsI(TI) / С.П.Авдеев,В.А.Карнаухов,В.Д.Кузнецов и др., 2001. - 10 с. - Текст : непосредственный.
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽