Приложение
для AndroidПолное описание
Мейер, Д. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис; пер. с англ. под ред. В. М. Гусева. - М. : Мир, 1973. - 296 с. : ил. - Загл. обл. : Ионное легирование полупроводников. - Библиогр.: с. 288-296 (335 назв.). - Пер. изд. : Ion implantation in semiconductors. Silicon and Germanium / J. Mayer, L. Eriksson, J. Davis. - NY, 1970. - Тираж не указ. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592:669.046.516 |
Рубрики:
Полупроводники -- Ионное внедрение
Доп. точки доступа:
Эриксон, Л.
Дэвис, Д.
Гусев, В.М.\ред.\
Mayer, J.
Eriksson, L.
Davis, J.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/6420)
Шифр в сводном ЭК: d09c9cbafa34ddb0ba38add46d5701c7
Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineГусев В.М. Теплоснабжение и вентиляция, 1973. - 232 с. - Текст : непосредственный.Расселл А. Информационная революция. Путь к корпоративному разуму : монография / А. Расселл, Д. Дэвис, Г. Миллер, 2008. - 260 с. - Текст : непосредственный.Cheasty A. Fiscal transition in countries of the former Soviet Union:an interim assessment / A. Cheasty, J. M. Davis, 1996. - III,32 p. p. - Текст : непосредственный.Mayer J. Elektronentheoretische Behandlung atomarer Defekte in der intermetallischen Verbindung FeAl in der B2-Struktur / J. Mayer, 1996. - 172 S. - Текст : непосредственный.Дэвис Д. Создание защищенных беспроводных сетей 802.11 в Microsoft Windows : монография / Д. Дэвис, 2006. - 396 с. - Текст : непосредственный.management of hazardous substances in the environment : материалы временных коллективов / International society for environmental protection, Congress (1; 1989; Vienna), 1990. - XIII,200 p. - Текст : непосредственный. Mayer J. Untersuchung zum Einsatz von Mehrgitterverfahren zur Losung von Navier-Stokes-und Euler-Gleichungen / J. Mayer, 1991. - 114 S. - Текст : непосредственный.Дэвис Д. Карманный справочник радиоинженера / Д. Дэвис, Д. Д. Карр, 2006. - 543 с. - Текст : непосредственный.Прис Б.В. Моделирование железобетонных конструкций / Б. В. Прис, Д. Д. Дэвис ; Пер. В. И. Кожар ; Ред. Я. И. Дрозд, 1974. - 222 с. - Текст : непосредственный.
Дэвис Д. Философия DevOps. Искусство управления IT / Д. Дэвис, КэтринДэниелс, К. Дэниелс, 2019. - 414 с. - Текст : непосредственный.Гусев В.М. Разработка теплозащитных покрытий на основе металлокерамических композиций и исследование процесса их плазменного напыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.16.06 / В. М. Гусев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гусев В.М. Разработка методов прогнозирования безопасности функционирования и безотказности авиационных двигателей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.07.05 / В. М. Гусев, 2001. - 26 с. - Текст : непосредственный.Елагина, О. Ю. Оборудование и технические средства для повышения износостойкости и восстановления деталей машин : учеб. пособие : в 2 ч. Ч. 2, 2015. - 176 с. - Текст : непосредственный.Елагина, О. Ю. Оборудование и технические средства для повышения износостойкости и восстановления деталей машин : учеб. пособие : в 2 ч. Ч. 1, 2015. - 255 с. - Текст : непосредственный.Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры / Под ред. Дж. Дэвиса, М. Томпсона: пер. с англ. А. Е. Грахова; под ред. П. П. Мальцева, 2011. - 512 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТалипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Баранов Г.В. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. В. Баранов, 2018. - 22 с. - Текст : непосредственный.Карасев П.А. Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / П. А. Карасев, 2017. - 28 с. - Текст : непосредственный.Феклистов К.В. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созревания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. В. Феклистов, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Балакирев Н.А. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Балакирев, 2014. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зацепин Д.А. Ионная модификация функциональных материалов : учеб. пособие / Д. А. Зацепин, И. А. Вайнштейн, С. О. Чолах, 2014. - 104 с. - Текст : непосредственный.Мейер Д. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис; пер. с англ. под ред. В. М. Гусева, 1973. - 296 с. - Текст : непосредственный.Матасов М.Д. Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / М. Д. Матасов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карабешкин К.В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гуда А.А. Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Гуда, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный.Тимошина М.И. Влияние термообработки и легирования на свойства мнокристаллического кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. И. Тимошина, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.Еримеев Г.А. Особенности взаимодействия низкоэнергетических ионов аргона с поверхностью кристаллических моноарсенидов со структурой сфалерита : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. А. Еримеев, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Perevoschikov V.A. Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevoschikov, V. D. Skoupov, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Образование фазы силицида при имплантации низкоэнергетичных ионов Mo+ и Ta+ в кремний / Э.Х.Еникеев,А.Г.Любимов,О.Р.Людчик и др.;.. Отд. колебаний, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Бурыкин Б.Н. Программа расчета распределения имплантированных ионов в аморфных телах методом Монте-Карло / Б. Н. Бурыкин, В. В. Иванов, К. С. Клоповский, 1990. - 18 c. - Текст : непосредственный.Дифракционные методы изучения материалов и приборных структур. Ионная имплантация : учеб. пособие / В. Т. Бублик [и др.], 2013. - 66 с. - Текст : непосредственный.Применение методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Н.Н.Герасименко,А.А.Гузев,Г.Л.Курышев и др., 1991. - 39 c. - Текст : непосредственный.Мараров, Всеволод Витальевич. Исследование самоорганизации фуллеренов C60 и C70 на модифицированной металлами поверхности Si(111) : специальность 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мараров Всеволод Витальевич, 2022. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кононина, Анастасия Владимировна. Модификация свойств пористого кремния при помощи ионных пучков : 1.3.5 - физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кононина Анастасия Владимировна, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания