Приложение
для AndroidПолное описание
d27757c385f8127de1378d0865c9430a/2000/44/1/2Журнал
International Business Machines Corporation (New York,NY). IBM Journal of Research & Development/ IBM. - 1957. - . - ISSN 0018-8646. - Выходит раз в два месяца. - Текст : непосредственный.
2000г.т.44 № 1/2
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыIBM Journal Research <& >Development / IBM. - Журнал выходит с 1957г. - Текст : непосредственный. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1999г. т. 43 № 5/6. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1995г. т. 39 № 6. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2004г. т. 48 № 1. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1993г. т. 37 № 5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1997г. т. 41 № 4/5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1999г. т. 43 № 3. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1996г. т. 40 № 6. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2008г. т. 52 № 6. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2008г. т. 52 № 4/5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2005г. т. 49 № 4/5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1996г. т. 40 № 5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2005г. т. 49 № 1. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1998г. т. 42 № 5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 1998г. т. 42 № 3/4. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2006г. т. 50 № 4/5. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2007г. т. 51 № 1/2. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2006г. т. 50 № 1. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2000г. т. 44 № 3. IBM Journal Research <& >Development. - Журнал, 2000г. т. 44 № 1/2.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽