Приложение
для AndroidПолное описание
Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов. - СПб : [б. и.], 1997. - 21 с. : ил. - (Препринт / Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе(Ленинград) ; 1697(1997)). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.16(04) |
Рубрики:
Галлий, арсениды -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): АРСЕНИД -- ВЛИЯНИЕ -- ГАЛЛИЙ -- ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Доп. точки доступа:
Погребицкий, К.Ю.
Сошников, И.П.
Берт, Н.А.
Сайфудинов, Д.Ж.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/14715/1697(1997))
Шифр в сводном ЭК: 2c91194347ccb179c58f59a6a1916bfb
Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Сошников И.П. Исследование закономерностей и особенностей распыления полупроводниковых материалов А В при бомбардировке ионами Ar ,Xe ,N и смесью ионов Ar -I : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / И. П. Сошников, 1996. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Иогансен А.А. One-loop superfield effective action for the D=4 topological Yang-Mills theory / А. А. Иогансен, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный.Никулин В.К. Перезарядка и возбуждение при столкновениях между ионами Fe8+и атомами гелия / В. К. Никулин, Н. А. Гущина, 2007. - 27 с. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чуйкин Е.И. Предварительные данные о выделении периодического жесткого (Е 100 МЭВ) гамма-излучения пульсара PSR 0833-45 в фазе излучения между главными пиками / Е. И. Чуйкин, 1996. - 12 с. - Текст : непосредственный.Горбачев Ю.Е. Hydrodynamic interaction in the kinetic theory of disperse systems / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 25 . - Текст : непосредственный.Горбачев Ю.Е. To the theory of the Knudsen layer with intensive heterogeneous chemical reactions and evaporation / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 26 p. - Текст : непосредственный.Горбачев Ю.Е. Квазиклассическое описание эволюции волчка в поле внешних сил / Ю. Е. Горбачев, М. П. Крутиков, 1993. - 53 с. - Текст : непосредственный.Горбачев Ю.Е. To the kinetic theory of developed turbulence / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 34 p. - Текст : непосредственный.Горбачев Ю.Е. The effective boundary conditions for a partially ionized gas over charged surfaces / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 33 p. - Текст : непосредственный.Коган В.Т. Ионно-оптическая схема малогабаритного магнитного масс-спектрометра с расширенным диапазоном измеряемых масс / В. Т. Коган, А. А. Степанов, 1993. - 11 с. - Текст : непосредственный.The experiments on fast current rampdown in TUMAN-3 tokamak / V. E. Golant, M. P. Gryaznevich, S. V. Krikunov, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Ирзак М.А. Расчет волноводных антенн в нижнегибридном диапазоне частот / М. А. Ирзак, О. Н. Щербинин, 1994. - 34 c. - Текст : непосредственный.Проверка космологической переменности фундаментальных физических констант на основе анализа спектров квазаров / Д. А. Варшалович, А. Ю. Потехин, А. В. Иванчик, 1997. - 12 с. - Текст : непосредственный.Impact of cosmic ray flux variations caused by changes in geomagnetic dipole moment on climate variability / O. M. Raspopov, O. I. Shymilov, E. A. Kasatkina, 1997. - 41 p. - Текст : непосредственный.Чуйкин Е.И. Выявление миллисекундных и субмиллисекундных пульсаций жесткого (100 МэВ) гамма-излучения пульсара Велы в фоновом диапазоне / Е. И. Чуйкин, 1997. - 12 с. - Текст : непосредственный.Вандакуров И.Ю. Применение вариационного метода для решения плоской анизотропной задачи теории упругости в произвольной многосвязной области / И. Ю. Вандакуров, Е. В. Галактионов, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный.Огурцов М.Г. Background characteristics of the underground neutrino detector / М. Г. Огурцов, 1992. - 38 p. - Текст : непосредственный.Иванчик А.В. The fine structure constant: a new observational limit on its cosmological variation and some theoretical consequences / А. В. Иванчик, A. Yu. Potekhin, D. A. Varshalovich, 1998. - 26 p. - Текст : непосредственный.Эндер А.Я. Структура больцмановского интеграла столкновений в осесимметричном случае. Ч.2. Дополнительные связи между матричными элементами для неориентированных частиц / А. Я. Эндер, И. А. Эндер, М. Б. Лютенко, 2000. - 71 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЭффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.
Объемное отражение 1 ГэВ протонов изогнутым кристаллом кремния / Ю. М. Иванов [и др.], 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов, развивающихся в ориентированных кристаллах кремния и вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2012. - 9 с. - Текст : непосредственный.Множественность заряженных частиц в ливнях от гамма-квантов, развивающихся в ориентированном кристалле вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный.Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Наблюдение отражения протонного пучка от изогнутых атомных плоскостей / Ю. М. Иванов [и др.], 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽