Приложение
для AndroidПолное описание
Воробьев, М. О. Люминесценция и электрофизические свойства полупроводников ZnO и GaN, термообработанных в радикалах металлоида : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / М. О. Воробьев. - М., 2003. - 21 c. - 75 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 20-21 (12 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002:621.78(043) | |
| 537.311.322:535.37(043) | ||
| 537.311.322:537(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар04-6374)
Шифр в сводном ЭК: 5aed62a18ec5b613ab9e8ebe24f34464
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБеляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ибрагимова А.С. Теоретические и вычислительные аспекты исследования одного варианта метода прямых для системы моментных уравнений переноса заряда в полупроводниках : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Ибрагимова, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Варданян Б.Р. Люминесценция легированных множественных квантовых ям GaAs/AlxGa As : специальность 08.00.11 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.экон.наук / Б. Р. Варданян, 1995. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шаршунов Д.В. Проводимость алмаза, индуцированная оптическим и ионизирующим излучением : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Шаршунов, 2003. - 14 с. - Текст : непосредственный.Майорова Т.Л. Люминесцентные и фотоэлектрические свойства пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных : специальность 01.04.05 "Оптика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Т. Л. Майорова, 2007. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сарен А.А. Исследование процессов возбуждения электронной системы нанокристаллитов в пористом кремнии при молекулярном воздействии : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Сарен, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Королев Ф.А. Импеданс нанопористых оксидов алюминия и титана с адсорбированной водой вблизи фазового перехода вода - лед / Ф. А. Королев, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ярашюнас К.Ю. Динамические решетки в изучении светоиндуцированных оптических и электрических явлений и параметров полупроводников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. Ю. Ярашюнас, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Блинов В.В. Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A B (на примере ZnSe) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Блинов, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зимин С.П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. П. Зимин, 2003. - 32 с. - Текст : непосредственный.Шокина Д.И. Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. И. Шокина, 1995. - 14 с. - Текст : непосредственный.Тралле И.Е. Процессы переноса заряда в полупроводниках и структурах полупроводник-диэлектрик в условиях воздействия электромагнитного поля : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / И. Е. Тралле, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Салимзянов Р.Р. Излучательная рекомбинация в монокристаллических структурах фосфида галлия, арсенида галлия и пористом кремнии при изменении интенсивности оптического и электрического возбуждения : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Р. Салимзянов, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лифенко В.М. Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Лифенко, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тарала В.А. Исследование влияния условий обработки ZnO на концентрации собственных дефектов и обусловленные ими люминесцентные свойства : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / В. А. Тарала, 2001. - 23 с. - Текст : непосредственный.Летенко Д.Г. Исследование времен жизни носителей тока в узкозонных полупроводниках интерференционным методом : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. Г. Летенко, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муминов А.А. Некоторые особенности магнитных и электрических свойств органических полупроводников на основе полиакрилонитрила : специальность 01.04.11 "Физика магнитных явлений", 01.04.13 "Электрофизика, электрофизические установки" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Муминов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Глушков В.В. Зарядовый транспорт и магнетизм в сильно коррелированных полупроводниках и полуметаллов с переходом металл-диэлектрик : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. В. Глушков, 2012. - 41 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽