Полное описание
>
Филачев, А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. - М. : Физматкнига, 2011 (М.). - 447 с. : ил. - Библиогр.: с. 447 (32 назв.). - 1000 экз. - ISBN 978-5-89155-203-6. - Текст : непосредственный.| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52 |
Рубрики:
Фотодиоды
Аннотация: В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии "Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды" детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространенных твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSn, CdHgTe, SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешеток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного.Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и "Приборостроение".Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям "Физика полупроводников", "Физическая электроника", "Твердотельная электроника...", "Квантовая электроника", "Технология... приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука".Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.
Доп. точки доступа:
Таубкин, И.И.
Тришенков, М.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-11/50931)>
Шифр в сводном ЭК: 0f6cad3dd471b47376406ab9d671264a
Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2005. - 381 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2007. - 381 с. - Текст : непосредственный.Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС : Обнаружение слабых оптич. сигналов / М.А.Тришенков, 1992. - 400 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2011. - 447 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Исследование и моделирование процессов формирования электронных пучков и их взаимодействия с поверхностью твердых тел как основа разработки прецизионного электронно-лучевого технологического оборудования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.04 / А. М. Филачев, 1997. - 55 с. - Текст : непосредственный.Филачев, Анатолий Михайлович. Фотоприемники в оптико-электронных приборах и системах : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2016. - 103 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946-2006) / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2006. - 334 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946-2011) / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2013. - 384 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Современное состояние и магистральные направления развития твердотельной фотоэлектроники / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2010. - 127 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Оптика гомогенных сред (Фоточувствительность. Поглощение и отражение излучения. Тонкие пленки) : учеб. пособие / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2015. - 65 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946-2016) / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2016. - 447 с. - Текст : непосредственный.
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМатвеев Б.А. Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов AIIIBV : монография / Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, 2017. - 116 с. - Текст : непосредственный.
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1703) : Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем:По данным отеч.и зарубеж. печати за 1957-1991гг. / В.И.Туринов, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2011. - 447 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 16 (1687) : Электрофизические свойства твердых растворов Cd Hg Te и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1986-1992 гг. / В.И.Туринов, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.Radovanovic S. High-speed photodiodes in standard CMOS technology / S. Radovanovic, A. Annema, B. Nauta, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ильичев Н.Н. Нахождение функции отклика германиевых фотодиодов ФД-7г на длине волны 1,54 мкм / Н.Н. Ильичев, С.Е. Мосалева, Э.С. Гулямова, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бурлаков И.Д. Физические основы пороговых фотоприемников (ударная межзонная ионизация в полупроводниках) : учеб. пособие для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 200400 "Оптотехника" и 210100 "Электроника и наноэлектроника" / И. Д. Бурлаков, В. А. Холоднов, 2014. - 42 с. - Текст : непосредственный.Долбня И.П. Абсолютная спектральная чувствительность фотодиодных линеек в рентгеновском диапазоне 7-20 кэВ / И.П.Долбня,С.Г.Курыло, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Kuhn E.W. Untersuchung der Akzeptordiffusion an InP/InGaAs-Heterostrukturen : Diss. / E.W.Kuhn, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Аскеров К.А. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых слоистых полупроводниках / К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. Г. Амиров, 1991. - 126 с. - Текст : непосредственный.Орлова К.Н. Радиационные модели AlGaInP светоизлучающих диодов : монография / К. Н. Орлова, А. В. Градобоев, 2016. - 203 с. - Текст : непосредственный.Самарцев, Илья Владимирович. Излучающие и фоточувствительные гетероструктуры на длины волн более 1 мкм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Si : специальность 1.3.11. Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Самарцев Илья Владимирович, 2025. - 24 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.А. Комплексы редкоземельных металлов с гетероциклическими лигандами для органических светоизлучающих диодов / В. А. Ильичев, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Мома Ю.А. Полупроводниковые источники излучения / Ю. А. Мома, 1989. - 36 с. - Текст : непосредственный.Хайрулина А.С. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе InGaN с люминофором : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Хайрулина, 2008. - 25 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Ионычев В.К. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя Р-N-перехода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. К. Ионычев, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Перелыгина О.М. Электролюминесценция композитов на основе полианилина и наноразмерных органических молекулярных кристаллов : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. М. Перелыгина, 2009. - 23 с. - Текст : непосредственный.Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды / Л. М. Коган, 1983. - 208 с. - Текст : непосредственный.Куроедов А.В. Методы и средства контроля и улучшения качества многосегментных PIN-фотодиодов с охранным кольцом : специальность 05.11.13 "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. В. Куроедов, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Аливов Я.И. Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Я. И. Аливов, 2005. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ефремов А.А. Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ефремов, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мышонков А.Б. Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током / А. Б. Мышонков, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Вилисов А.А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : специальность 01.04.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Вилисов, 2001. - 37 с. - Текст : непосредственный.Карташова А.П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала / А. П. Карташова, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. А. Тарасов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽